半導体産業用材料の製法とキャラクタリゼーションに関する研究

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著者

    • 近藤, 明 コンドウ, アキラ

書誌事項

タイトル

半導体産業用材料の製法とキャラクタリゼーションに関する研究

著者名

近藤, 明

著者別名

コンドウ, アキラ

学位授与大学

明治大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第301号

学位授与年月日

2000-02-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / c-3 / (0007.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0011.jp2)
  3. 1-1 はじめに / p1 (0011.jp2)
  4. 1-2 半導体プロセスの概要と最近の動向 / p3 (0013.jp2)
  5. 1-3 半導体産業用炭化珪素材料 / p6 (0016.jp2)
  6. 1-4 半導体産業用セラミックス部材 / p10 (0020.jp2)
  7. 1-4 半導体産業用高純度ガス / p11 (0021.jp2)
  8. 1-6 本研究の目的と内容 / p13 (0023.jp2)
  9. 参考文献 / p15 (0025.jp2)
  10. 第2章 再結晶SiCの導電機構 / p17 (0027.jp2)
  11. 2-1 はじめに / p17 (0027.jp2)
  12. 2-2 実験 / p18 (0028.jp2)
  13. 2-3 結果および考察 / p27 (0037.jp2)
  14. 2-4 まとめ / p51 (0061.jp2)
  15. 参考文献 / p52 (0062.jp2)
  16. 第3章 再結晶SiC電気的特性のシミュレーション / p55 (0065.jp2)
  17. 3-1 はじめに / p55 (0065.jp2)
  18. 3-2 実験 / p57 (0067.jp2)
  19. 3-3 結果および考察 / p61 (0071.jp2)
  20. 3-4 まとめ / p77 (0087.jp2)
  21. 参考文献 / p78 (0088.jp2)
  22. 第4章 窒素が固溶した常圧焼結SiCの電気的特性 / p79 (0089.jp2)
  23. 4-1 はじめに / p79 (0089.jp2)
  24. 4-2 実験 / p82 (0092.jp2)
  25. 4-3 結果および考察 / p84 (0094.jp2)
  26. 4-4 まとめ / p103 (0113.jp2)
  27. 参考文献 / p104 (0114.jp2)
  28. 第5章 SiCウィスカー複合スピネルセラミックスの構造と機械的特性 / p106 (0116.jp2)
  29. 5-1 はじめに / p106 (0116.jp2)
  30. 5-2 ウィスカー複合セラミックスの高靭化メカニズム / p108 (0118.jp2)
  31. 5-3 実験方法 / p112 (0122.jp2)
  32. 5-4 結果および考察 / p113 (0123.jp2)
  33. 5-5 まとめ / p137 (0147.jp2)
  34. 参考文献 / p138 (0148.jp2)
  35. 第6章 圧力スイング吸着操作のシミュレーション / p139 (0149.jp2)
  36. 6-1 はじめに / p139 (0149.jp2)
  37. 6-2 PSAの原理 / p140 (0150.jp2)
  38. 6-3 実験方法 / p142 (0152.jp2)
  39. 6-4 シミュレーション方法 / p146 (0156.jp2)
  40. 6-5 結果および考察 / p150 (0160.jp2)
  41. 6-6 まとめ / p171 (0181.jp2)
  42. 参考文献 / p172 (0182.jp2)
  43. 付録-1 使用記号 / p173 (0183.jp2)
  44. 付録-2 プログラムリスト / p174 (0184.jp2)
  45. 第7章 本論文のまとめ / p186 (0196.jp2)
  46. 謝辞 / p191 (0201.jp2)
  47. 本研究に関連した著者の研究論文・解説など / a-1 / (0202.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185883
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186166
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000350197
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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