化合物半導体AlGaAs:Seにおける深い不純物準位DXセンター

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著者

    • 吉野, 洋子 ヨシノ, ヨウコ

書誌事項

タイトル

化合物半導体AlGaAs:Seにおける深い不純物準位DXセンター

著者名

吉野, 洋子

著者別名

ヨシノ, ヨウコ

学位授与大学

岡山理科大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第理55号

学位授与年月日

2000-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 研究の背景 / p3 (0005.jp2)
  3. 第2章 DXセンター / p5 (0007.jp2)
  4. 2.1 半導体の伝導度制御 / p5 (0007.jp2)
  5. 2.2 化合物半導体の特徴 / p5 (0007.jp2)
  6. 2.3 AlGaAsのバンド構造の組成比と圧力依存性 / p8 (0010.jp2)
  7. 2.4 DXセンターの歴史 / p11 (0013.jp2)
  8. 2.5 研究目的 / p24 (0026.jp2)
  9. 第3章 実験 / p28 (0030.jp2)
  10. 3.1 AlGaAs:SeのDXセンターと面方位依存性 / p28 (0030.jp2)
  11. 3.2 放射光照射下でのDXセンター(SR-ICTS) / p35 (0037.jp2)
  12. 3.3 キャパシタンスXAFS(Capacitance-XAFS;C-XAFS) / p42 (0044.jp2)
  13. 第4章 結論 / p53 (0055.jp2)
  14. 4.1 AlGaAs:Seの深い不純物準位と面方位依存性 / p53 (0055.jp2)
  15. 4.2 放射光照射下での深い不純物準位 / p53 (0055.jp2)
  16. 4.3 キャパシタンスXAFS / p54 (0056.jp2)
  17. 付録 / p55 (0057.jp2)
  18. A.試料 / p55 (0057.jp2)
  19. B.測定原理 / p57 (0059.jp2)
  20. C.放射光 / p73 (0075.jp2)
  21. 謝辞 / p76 (0078.jp2)
  22. 参考文献 / p77 (0079.jp2)
  23. 業績一覧 / p81 (0083.jp2)
6アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185931
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186214
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000350245
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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