有機金属気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

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著者

    • 川口, 靖利 カワグチ, ヤストシ

書誌事項

タイトル

有機金属気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

著者名

川口, 靖利

著者別名

カワグチ, ヤストシ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4697号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 現代社会における化合物半導体の役割 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 窒化物半導体とそのデバイス応用 / p2 (0005.jp2)
  5. 1.3 窒化物半導体の諸物性 / p4 (0006.jp2)
  6. 1.4 本研究の背景及び目的と本論文の構成 / p7 (0007.jp2)
  7. 参考文献 / p11 (0009.jp2)
  8. 第2章 窒化物半導体の結晶成長 / p13 (0010.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p13 (0010.jp2)
  10. 2.2 窒化物半導体の結晶成長法 / p13 (0010.jp2)
  11. 2.3 本研究で用いる有機金属気相エピタキシャル成長装置の概略 / p17 (0012.jp2)
  12. 2.4 結言 / p19 (0013.jp2)
  13. 参考文献 / p20 (0014.jp2)
  14. 第3章 InGaNの結晶成長と組成引き込み効果 / p22 (0015.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p22 (0015.jp2)
  16. 3.2 InGaNの結晶成長とその成長条件 / p22 (0015.jp2)
  17. 3.3 表面モフォロジー及び断面形状の評価 / p25 (0016.jp2)
  18. 3.4 フォトルミネッセンスによる光学的特性の評価 / p32 (0020.jp2)
  19. 3.5 X線回折測定による結晶学的特性の評価 / p42 (0025.jp2)
  20. 3.6 透過型電子顕微鏡による結晶微細構造の評価 / p47 (0027.jp2)
  21. 3.7 結言 / p58 (0033.jp2)
  22. 参考文献 / p60 (0034.jp2)
  23. 第4章 選択成長技術を用いたGaNストライプ構造の作製と貫通転位密度低減効果 / p61 (0034.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p61 (0034.jp2)
  25. 4.2 選択成長技術のGaNへの応用 / p62 (0035.jp2)
  26. 4.3 選択成長用マスクパターンの作製とGaN選択成長 / p64 (0036.jp2)
  27. 4.4 表面モフォロジー及び断面形状の評価 / p67 (0037.jp2)
  28. 4.5 X線回折測定による結晶学的特性の評価 / p71 (0039.jp2)
  29. 4.6 フォトルミネッセンス及びカソードルミネッセンスによる光学的特性の評価 / p76 (0042.jp2)
  30. 4.7 透過型電子顕微鏡による結晶微細構造の評価 / p83 (0045.jp2)
  31. 4.8 結言 / p89 (0048.jp2)
  32. 参考文献 / p92 (0050.jp2)
  33. 第5章 選択成長技術を用いたシリコン基板上へのGaN六角錐構造の作製 / p93 (0050.jp2)
  34. 5.1 緒言 / p93 (0050.jp2)
  35. 5.2 選択成長によって作製した構造のデバイスへの応用 / p94 (0051.jp2)
  36. 5.3 ドットパターンを形成したSi基板上へのGaN選択成長 / p96 (0052.jp2)
  37. 5.4 AlGaN中間層を用いた(lll)Si基板上へのGaN選択成長 / p96 (0052.jp2)
  38. 5.5 AlGaN中間層の最適化 / p105 (0056.jp2)
  39. 5.6 GaN選択成長条件の制御による六角錐構造の形状制御 / p116 (0062.jp2)
  40. 5.7 結言 / p126 (0067.jp2)
  41. 参考文献 / p129 (0068.jp2)
  42. 第6章 選択成長技術を用いたシリコン基板上へのGaNストライプ構造の作製 / p131 (0069.jp2)
  43. 6.1 緒言 / p130 (0069.jp2)
  44. 6.2 ストライプパターンを形成したSi基板上へのGaN選択成長 / p130 (0069.jp2)
  45. 6.3 X線回折測定による結晶学的特性の評価 / p135 (0071.jp2)
  46. 6.4 フォトルミネッセンスによる光学的特性の評価 / p141 (0074.jp2)
  47. 6.5 結言 / p142 (0075.jp2)
  48. 参考文献 / p144 (0076.jp2)
  49. 第7章 総括 / p145 (0076.jp2)
  50. 謝辞 / p150 (0079.jp2)
  51. 研究業績 / p151 (0079.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000186317
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186600
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000350631
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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