走査型トンネル顕微鏡を用いた極薄シリコン酸化膜の形成及び劣化に関する研究 Study on Formation and Degradation of Ultra-Thin SiO2 Films Using Scanning Tunneling Microscopy

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著者

    • 大毛利, 健治 オオモリ, ケンジ

書誌事項

タイトル

走査型トンネル顕微鏡を用いた極薄シリコン酸化膜の形成及び劣化に関する研究

タイトル別名

Study on Formation and Degradation of Ultra-Thin SiO2 Films Using Scanning Tunneling Microscopy

著者名

大毛利, 健治

著者別名

オオモリ, ケンジ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4710号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成12年3月27日

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p8 (0010.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p11 (0011.jp2)
  6. 参考文献 / p12 (0012.jp2)
  7. 第2章 実験装置の概要及び測定原理 / p13 (0013.jp2)
  8. 2.1 本研究で用いた実験装置の概要 / p13 (0013.jp2)
  9. 2.2 測定原理 / p17 (0015.jp2)
  10. 2.3 測定方法 / p29 (0021.jp2)
  11. 参考文献 / p35 (0024.jp2)
  12. 第3章 Si(100)-2x1清浄表面の初期酸化過程 / (0026.jp2)
  13. 3.1 はじめに / p37 (0026.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p37 (0026.jp2)
  15. 3.3 Si(100)-2xl清浄表面の構造及び電子状態 / p38 (0027.jp2)
  16. 3.4 初期酸化過程 / p40 (0028.jp2)
  17. 参考文献 / p55 (0035.jp2)
  18. 第4章 水素終端面の酸化 / p57 (0037.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p57 (0037.jp2)
  20. 4.2 実験方法 / p57 (0037.jp2)
  21. 4.3 Si(100)-(2x1):H表面の構造と電子状態 / p58 (0038.jp2)
  22. 4.4 水素終端面上に形成した酸化膜の結合及び電子状態 / p61 (0039.jp2)
  23. 参考文献 / p70 (0044.jp2)
  24. 第5章 STM探針を用いた極薄シリコン酸化膜への電子注入 / p71 (0045.jp2)
  25. 5.1 局所的なストレス印加による劣化機構の研究 / p71 (0045.jp2)
  26. 5.2 実験方法 / p72 (0046.jp2)
  27. 5.3 実験結果 / p75 (0047.jp2)
  28. 参考文献 / p87 (0053.jp2)
  29. 第6章 極薄シリコン酸化膜中の正電荷トラップ / p89 (0055.jp2)
  30. 6.1 はじめに / p89 (0055.jp2)
  31. 6.2 実験方法 / p89 (0055.jp2)
  32. 6.3 実験結果 / p90 (0056.jp2)
  33. 参考文献 / p101 (0061.jp2)
  34. 第7章 STMにおけるトンネル伝導機構の理論的考察 / p103 (0063.jp2)
  35. 7.1 はじめに / p103 (0063.jp2)
  36. 7.2 2重接合におけるトンネル確率の厳密解 / p104 (0064.jp2)
  37. 7.3 計算結果 / p113 (0068.jp2)
  38. 7.4 実験結果との比較 / p120 (0072.jp2)
  39. 参考文献 / p128 (0076.jp2)
  40. 第8章 結論 / p129 (0077.jp2)
  41. 8.1 本研究の総括 / p129 (0077.jp2)
  42. 8.2 今後の展望 / p132 (0079.jp2)
  43. 謝辞 / p133 (0079.jp2)
  44. 研究業績 / p135 (0080.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000186330
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186613
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000350644
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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