金属/Ⅳ族半導体界面の固相反応と電気的特性

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著者

    • 中塚, 理 ナカツカ, オサム

書誌事項

タイトル

金属/Ⅳ族半導体界面の固相反応と電気的特性

著者名

中塚, 理

著者別名

ナカツカ, オサム

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4711号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p7 (0009.jp2)
  5. 1.3 本論文の概要 / p8 (0010.jp2)
  6. 1.4 参考文献 / p9 (0010.jp2)
  7. 第2章 金属/半導体界面における電気的特性 / p11 (0012.jp2)
  8. 2.1 バンド構造 / p11 (0012.jp2)
  9. 2.2 電気伝導機構 / p17 (0015.jp2)
  10. 2.3 コンタクト抵抗率 / p23 (0018.jp2)
  11. 2.4 参考文献 / p27 (0020.jp2)
  12. 第3章 実験方法 / p29 (0022.jp2)
  13. 3.1 実験装置 / p29 (0022.jp2)
  14. 3.2 試料作製方法 / p35 (0025.jp2)
  15. 3.3 電気的特性評価法 / p40 (0028.jp2)
  16. 3.4 参考文献 / p51 (0033.jp2)
  17. 第4章 Co/Si界面の固相反応と電気的特性 / p53 (0035.jp2)
  18. 4.1 はじめに / p53 (0035.jp2)
  19. 4.2 実験方法 / p54 (0036.jp2)
  20. 4.3 界面固相反応による生成物の評価 / p54 (0036.jp2)
  21. 4.4 ショットキーダイオードの電気伝導特性 / p56 (0037.jp2)
  22. 4.5 界面欠陥の評価 / p64 (0041.jp2)
  23. 4.6 まとめ / p70 (0044.jp2)
  24. 4.7 参考文献 / p72 (0045.jp2)
  25. 第5章 Co/Si系のコンタクト抵抗率の不純物濃度依存性 / p73 (0046.jp2)
  26. 5.1 はじめに / p73 (0046.jp2)
  27. 5.2 実験方法 / p74 (0047.jp2)
  28. 5.3 イオン注入後の界面不純物濃度分布 / p75 (0047.jp2)
  29. 5.4 コンタクト抵抗率の熱処理温度依存性 / p79 (0049.jp2)
  30. 5.5 コンタクト抵抗率の界面不純物濃度依存性 / p79 (0049.jp2)
  31. 5.6 まとめ / p95 (0057.jp2)
  32. 5.7 参考文献 / p97 (0058.jp2)
  33. 第6章 Ti及びZr/SiGe界面の固相反応 / p99 (0060.jp2)
  34. 6.1 はじめに / p99 (0060.jp2)
  35. 6.2 実験方法 / p103 (0062.jp2)
  36. 6.3 Ti/Si₀.₅Ge₀.₅/Si系の固相反応 / p104 (0063.jp2)
  37. 6.4 Zr/Si₀.₅Ge₀.₅/Si系の固相反応 / p114 (0068.jp2)
  38. 6.5 固相反応と電気的特性の関係 / p118 (0070.jp2)
  39. 6.6 まとめ / p120 (0071.jp2)
  40. 6.7 参考文献 / p122 (0072.jp2)
  41. 第7章 総括 / p125 (0074.jp2)
  42. 7.1 本研究の要約 / p125 (0074.jp2)
  43. 7.2 今後の展望 / p127 (0075.jp2)
  44. 謝辞 / p129 (0076.jp2)
  45. 研究業績 / p130 (0077.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000186331
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186614
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000350645
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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