Ni基めっき皮膜/Pb-Snはんだ接合界面の破壊に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Ni基めっき皮膜/Pb-Snはんだ接合界面の破壊に関する研究
- 著者名
-
松木, 浩久
- 著者別名
-
マツキ, ヒロヒサ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第4724号
- 学位授与年月日
-
2000-03-27
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 緒言 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 半導体パッケージにおける端子皮膜の形成方法 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 無電解めっきNiP/Au皮膜とはんだ接合部の強度 / p2 (0007.jp2)
- 1-3 電解めっきNi/Au皮膜とはんだ接合部の強度 / p12 (0017.jp2)
- 1-4 研究目的 / p14 (0019.jp2)
- 参考文献 / p16 (0021.jp2)
- 第2章 試料作成方法 / p18 (0023.jp2)
- 2-1 序論:半導体パッケージにおけるはんだ接合部のTEM観察 / p18 (0023.jp2)
- 2-2 薄片試料の作成方法 / p19 (0024.jp2)
- 2-3 TEM観察試料の作成方法の検計(1);イオンミリング法 / p23 (0028.jp2)
- 2-4 TEM観察試料の作成方法の検討(2);FIB法 / p23 (0028.jp2)
- 2-5 TEM内加熱観察用試料の作成方法 / p30 (0035.jp2)
- 2-6 FIB加工における注意点 / p33 (0038.jp2)
- 2-7 結論 / p38 (0043.jp2)
- 参考文献 / p38 (0043.jp2)
- 第3章 無電解めっきNiP/Au皮膜/Pb-Sn共晶はんだの接合部断面TEM観察 / p40 (0045.jp2)
- 3-1 序論 / p40 (0045.jp2)
- 3-2 SADPによる合金層の決定方法 / p41 (0046.jp2)
- 3-3 観察方法 / p41 (0046.jp2)
- 3-4 観察結果 / p45 (0050.jp2)
- 3-5 考察 / p51 (0056.jp2)
- 3-6 結論 / p53 (0058.jp2)
- 参考文献 / p53 (0058.jp2)
- 第4章 電解めっきNi/Au皮膜/Pb-Sn共晶はんだの接合部断面TEM観察 / p55 (0060.jp2)
- 4-1 序論 / p55 (0060.jp2)
- 4-2 SADPによる合金層の決定方法 / p56 (0061.jp2)
- 4-3 実験方法 / p56 (0061.jp2)
- 4-4 実験結果 / p59 (0064.jp2)
- 4-5 考察 / p65 (0070.jp2)
- 4-6 結論 / p67 (0072.jp2)
- 参考文献 / p69 (0074.jp2)
- 第5章 Pb-Sn共晶はんだの融解･凝固過程のTEM内その場加熱観察 / p70 (0075.jp2)
- 5-1 序論 / p70 (0075.jp2)
- 5-2 TEMによるはんだ溶融･凝固過程の直接観察方法 / p72 (0077.jp2)
- 5-3 観察結果 / p72 (0077.jp2)
- 5-4 考察 / p79 (0084.jp2)
- 5-5 結論 / p82 (0087.jp2)
- 参考文献 / p82 (0087.jp2)
- 第6章 無電解めっきNiP/Pb-Sn共晶はんだ接合過程のTEM内その場観察 / p84 (0089.jp2)
- 6-1 序論 / p84 (0089.jp2)
- 6-2 TEMによるはんだ接合過程の直接観察方法 / p85 (0090.jp2)
- 6-3 観察結果 / p87 (0092.jp2)
- 6-4 考察 / p94 (0099.jp2)
- 6-5 結論 / p97 (0102.jp2)
- 参考文献 / p99 (0104.jp2)
- 第7章 総括 / p101 (0106.jp2)
- 謝辞 / (0112.jp2)