InGaAs/InP液滴ヘテロエピタキシーに関する研究 InGaAs InP 液滴 ヘテロ エピタキシー
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著者
書誌事項
- タイトル
-
InGaAs/InP液滴ヘテロエピタキシーに関する研究
- タイトル別名
-
InGaAs InP 液滴 ヘテロ エピタキシー
- 著者名
-
野々垣陽一
- 著者別名
-
ノノガキ, ヨウイチ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第5691号
- 学位授与年月日
-
2000-01-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 半導体量子ドットの形成 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p3 (0006.jp2)
- 参考文献 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 全有機金属気相エピタキシャル法 / p7 (0008.jp2)
- 2.1 はじめに / p7 (0008.jp2)
- 2.2 原料の特性と原料供給量制御 / p8 (0009.jp2)
- 2.3 0MVPE装置の構成 / p11 (0010.jp2)
- 2.4 まとめ / p20 (0015.jp2)
- 参考文献 / p20 (0015.jp2)
- 第3章 InPの成長と評価 / p21 (0015.jp2)
- 3.1 はじめに / p21 (0015.jp2)
- 3.2 実験方法 / p22 (0016.jp2)
- 3.3 InP成長における水素流量の効果 / p24 (0017.jp2)
- 3.4 考察 / p31 (0020.jp2)
- 3.5 まとめ / p41 (0025.jp2)
- 参考文献 / p42 (0026.jp2)
- 第4章 InGaAsの成長と評価 / p43 (0026.jp2)
- 4.1 はじめに / p43 (0026.jp2)
- 4.2 実験方法 / p44 (0027.jp2)
- 4.3 V族センター法によるInGaAs成長 / p51 (0030.jp2)
- 4.4 III族センター法によるInGaAs成長 / p55 (0032.jp2)
- 4.5 まとめ / p67 (0038.jp2)
- 参考文献 / p68 (0039.jp2)
- 第5章 液滴ヘテロエピタキシーによるInP上のInAsドットの形成と評価 / p69 (0039.jp2)
- 5.1 はじめに / p69 (0039.jp2)
- 5.2 実験方法 / p70 (0040.jp2)
- 5.3 InAs/InP層状成長 / p71 (0040.jp2)
- 5.4 InP基板上へのInAsドットの形成 / p78 (0044.jp2)
- 5.5 InP中へのInAs量子ドット埋め込み構造の作製 / p85 (0047.jp2)
- 5.6 微傾斜InP基板上のInAsドットの形成 / p90 (0050.jp2)
- 5.7 まとめ / p95 (0052.jp2)
- 参考文献 / p96 (0053.jp2)
- 第6章 液滴ヘテロエピタキシーによるInP上のInGaAsドットの形成と評価 / p99 (0054.jp2)
- 6.1 はじめに / p99 (0054.jp2)
- 6.2 成長条件 / p99 (0054.jp2)
- 6.3 InGaAs/InPヘテロ成長 / p100 (0055.jp2)
- 6.4 InP上のInGaAsドット / p106 (0058.jp2)
- 6.5 まとめ / p113 (0061.jp2)
- 参考文献 / p114 (0062.jp2)
- 第7章 結論 / p115 (0062.jp2)
- 謝辞 / p119 (0064.jp2)
- 発表論文等 / p120 (0065.jp2)