二酸化シリコン薄膜の低温プラズマCVDにおける分光学的プロセス診断に関する研究 二酸化 シリコン 薄膜 低温 プラズマ CVD 分光学的 プロセス 診断

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著者

    • 井上泰志 イノウエ, ヤスシ

書誌事項

タイトル

二酸化シリコン薄膜の低温プラズマCVDにおける分光学的プロセス診断に関する研究

タイトル別名

二酸化 シリコン 薄膜 低温 プラズマ CVD 分光学的 プロセス 診断

著者名

井上泰志

著者別名

イノウエ, ヤスシ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5707号

学位授与年月日

2000-02-29

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学)(論文) 学位授与年月日:平成12年2月29日

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p6 (0008.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p6 (0008.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p13 (0015.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p13 (0015.jp2)
  6. 2 SiO₂薄膜の作製および諸特性評価 / p15 (0017.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p15 (0017.jp2)
  8. 2.2 高周波プラズマCVD法 / p16 (0018.jp2)
  9. 2.3 成膜速度 / p21 (0023.jp2)
  10. 2.4 化学組成 / p23 (0025.jp2)
  11. 2.5 化学結合状態 / p30 (0032.jp2)
  12. 2.6 原料分子解離過程と成膜過程に関する考察 / p38 (0040.jp2)
  13. 2.7 まとめ / p40 (0042.jp2)
  14. 3 プラズマ発光分光法によるプロセス診断 / p41 (0043.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p41 (0043.jp2)
  16. 3.2 プラズマ発光分光分析法 / p43 (0045.jp2)
  17. 3.3 実験結果と考察 / p47 (0049.jp2)
  18. 3.4 まとめ / p59 (0061.jp2)
  19. 4 質量分析法によるプロセス診断 / p60 (0062.jp2)
  20. 4.1 緒言 / p60 (0062.jp2)
  21. 4.2 質量分析法 / p62 (0064.jp2)
  22. 4.3 実験結果および考察 / p67 (0069.jp2)
  23. 4.4 まとめ / p83 (0085.jp2)
  24. 5 赤外吸収分光法によるプロセス診断 / p84 (0086.jp2)
  25. 5.1 緒言 / p84 (0086.jp2)
  26. 5.2 赤外吸収分光法 / p85 (0087.jp2)
  27. 5.3 実験結果と考察 / p91 (0093.jp2)
  28. 5.4 まとめ / p111 (0113.jp2)
  29. 6 成膜過程の考察 / p112 (0114.jp2)
  30. 6.1 緒言 / p112 (0114.jp2)
  31. 6.2 気相反応 / p112 (0114.jp2)
  32. 6.3 表面反応 / p113 (0115.jp2)
  33. 7 総括 / p115 (0117.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000186395
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186678
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000350709
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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