分子線エピタキシャル成長の制御と表面再配列構造

この論文をさがす

著者

    • 中原, 仁 ナカハラ, ヒトシ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシャル成長の制御と表面再配列構造

著者名

中原, 仁

著者別名

ナカハラ, ヒトシ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5713号

学位授与年月日

2000-02-29

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (論文) 学位授与年月日:平成12年2月29日

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の目的 / p6 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
  6. 第2章 実験方法及び解析手法 / p9 (0009.jp2)
  7. 2.1 反射高速電子回折(RHEED)の実験方法 / p9 (0009.jp2)
  8. 2.2 走査反射電子顕微鏡(SREM)の実験方法 / p15 (0012.jp2)
  9. 2.3 RHEEDロッキング曲線の解析方法 / p20 (0015.jp2)
  10. 第3章 Si(111)7×7清浄表面へのMBE成長の実験 / p27 (0018.jp2)
  11. 3.1 実験の背景 / p27 (0018.jp2)
  12. 3.2 Si/Si(111)実験結果 / p29 (0019.jp2)
  13. 3.3 Si/Si(111)実験結果の検討 / p47 (0028.jp2)
  14. 3.4 第3章のまとめ / p64 (0037.jp2)
  15. 第4章 表面制御エピタキシの実験 / p67 (0038.jp2)
  16. 4.1 実験の背景 / p67 (0038.jp2)
  17. 4.2 Si/Ga/Si(111)実験結果 / p68 (0039.jp2)
  18. 4.3 Si/Ga/Si(111)実験結果の検討 / p82 (0046.jp2)
  19. 4.4 第4章のまとめ / p94 (0052.jp2)
  20. 第5章 結晶成長の計算機シミュレーション / p97 (0053.jp2)
  21. 5.1 計算機シミュレーションの背景 / p97 (0053.jp2)
  22. 5.2 モンテカルロシミュレーションの方法 / p100 (0055.jp2)
  23. 5.3 核生成速度と核成長 / p105 (0057.jp2)
  24. 5.4 計算結果 / p107 (0058.jp2)
  25. 5.5 計算結果の検討 / p115 (0062.jp2)
  26. 5.6 第5章のまとめ / p124 (0067.jp2)
  27. 第6章 結言 / p125 (0067.jp2)
  28. 付録A 基板温度の測定 / p127 (0068.jp2)
  29. 謝辞 / p131 (0070.jp2)
  30. 参考文献 / p133 (0071.jp2)
  31. 研究業績 / p141 (0075.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000186401
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186684
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000350715
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ