超高集積回路の配線用銅薄膜の化学気相成長とその膜特性に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
超高集積回路の配線用銅薄膜の化学気相成長とその膜特性に関する研究
- Author
-
小林, 明子
- Author(Another name)
-
コバヤシ, アキコ
- University
-
上智大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第168号
- Degree year
-
2000-03-14
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文要旨 / (0004.jp2)
- 目次 / (0007.jp2)
- 1 序論 / p1 (0010.jp2)
- 1.1 背景 / p1 (0010.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p12 (0021.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p12 (0021.jp2)
- 2 CVD法による銅膜の成膜 / p14 (0023.jp2)
- 2.1 はじめに / p14 (0023.jp2)
- 2.2 原料 / p14 (0023.jp2)
- 2.3 実験 / p20 (0029.jp2)
- 2.4 基礎特性 / p23 (0032.jp2)
- 2.5 結論 / p38 (0047.jp2)
- 3 ガスの流れと成膜速度 / p39 (0048.jp2)
- 3.1 はじめに / p39 (0048.jp2)
- 3.2 ガスの流れのシミュレーションに基づく反応室の構造設計と成膜実験 / p39 (0048.jp2)
- 3.3 ガス導入部ガイドA,Bの構造と成膜速度特性 / p41 (0050.jp2)
- 3.4 ガス導入部ガイドCの構造と成膜速度特性 / p51 (0060.jp2)
- 3.5 ガスの流れと今後の課題 / p56 (0065.jp2)
- 3.6 結論 / p56 (0065.jp2)
- 4 高速成膜と埋め込み / p57 (0066.jp2)
- 4.1 はじめに / p57 (0066.jp2)
- 4.2 実験 / p57 (0066.jp2)
- 4.3 埋め込み特性 / p61 (0070.jp2)
- 4.4 結論 / p68 (0077.jp2)
- 5 成膜初期過程 / p70 (0079.jp2)
- 5.1 はじめに / p70 (0079.jp2)
- 5.2 実験 / p72 (0081.jp2)
- 5.3 成膜初期の観察 / p72 (0081.jp2)
- 5.4 成膜初期の成長様式 / p82 (0091.jp2)
- 5.5 埋め込み条件との関連 / p84 (0093.jp2)
- 5.6 結論 / p86 (0095.jp2)
- 6 膜質 / p87 (0096.jp2)
- 6.1 はじめに / p87 (0096.jp2)
- 6.2 実験と分析 / p87 (0096.jp2)
- 6.3 原料の熱安定性 / p88 (0097.jp2)
- 6.4 CVD-CU膜の膜質 / p88 (0097.jp2)
- 6.5 結論 / p96 (0105.jp2)
- 7 配線形成 / p97 (0106.jp2)
- 7.1 はじめに / p97 (0106.jp2)
- 7.2 アニール後処理 / p98 (0107.jp2)
- 7.3配線形成 / p98 (0107.jp2)
- 7.4 今後の課題 / p103 (0112.jp2)
- 7.5 結論 / p103 (0112.jp2)
- 8 結論 / p104 (0113.jp2)
- 8.1 結論 / p104 (0113.jp2)
- 8.2 今後の課題 / p105 (0114.jp2)
- 文献 / p106 (0115.jp2)
- 謝辞 / p111 (0120.jp2)
- 業績 / p113 (0122.jp2)