Electrical transport phenomena in surface gated GaAs/AlGaAs open dot arrays 半導体ドット・アレイにおける電気伝導現象の研究

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著者

    • 林, 立弘 リン, リホン

書誌事項

タイトル

Electrical transport phenomena in surface gated GaAs/AlGaAs open dot arrays

タイトル別名

半導体ドット・アレイにおける電気伝導現象の研究

著者名

林, 立弘

著者別名

リン, リホン

学位授与大学

千葉大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第1805号

学位授与年月日

2000-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / (0003.jp2)
  2. 1 Introduction / 1-1 / (0006.jp2)
  3. 1.1 GaAs/AlGaAs Heterojunction / 1-3 (0008.jp2)
  4. 1.2 Properties of GaAs/AlGaAs Heterojunction / 1-7 (0012.jp2)
  5. 2 Theory / 2-1 / (0018.jp2)
  6. 2.1 Ballistic Transportation in Low-Dimensional Electron Gas / 2-2 / (0019.jp2)
  7. 2.2 Transport Behaviours in Magnetic Field / 2-6 / (0023.jp2)
  8. 2.3 Weak Localisation / 2-12 / (0029.jp2)
  9. 2.4 Scaling Theory / 2-19 / (0036.jp2)
  10. 2.5 Nonequilibrium Carrier Behaviour / 2-21 / (0039.jp2)
  11. 3 Experiment / 3-1 / (0042.jp2)
  12. 3.1 Samples / 3-2 / (0043.jp2)
  13. 3.2 Refrigerators / 3-6 / (0047.jp2)
  14. 4 Results and Discussion / 4-1 / (0053.jp2)
  15. 1.1 Back-scattering and commensurate orbits / 4-2 / (0054.jp2)
  16. 4.2 Beating behaviour in magneto-resistance / 4-10 / (0062.jp2)
  17. 4.3 Hot Electrons / 4-16 / (0068.jp2)
  18. 5 Conclusion / 5-1 / (0072.jp2)
  19. Acknowledgements / (0074.jp2)
  20. Abstract / (0005.jp2)
  21. Focused Multi-Peaks in Gated Ballistic Wires / p155 (0078.jp2)
  22. Modeling of Electron Transport in Corrugated Quantum Wires / p325 (0081.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000187094
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000187377
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000351408
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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