イオン注入によるSiおよびSiCの材料改質に関する基礎的研究

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著者

    • 原田, 信介 ハラダ, シンスケ

書誌事項

タイトル

イオン注入によるSiおよびSiCの材料改質に関する基礎的研究

著者名

原田, 信介

著者別名

ハラダ, シンスケ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5098号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 SiおよびSiCの材料物性 / p3 (0007.jp2)
  5. 1.3 イオン注入による材料改質 / p9 (0013.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p18 (0022.jp2)
  7. 1.5 論文の構成 / p18 (0022.jp2)
  8. 第1章参考文献 / p19 (0023.jp2)
  9. 第2章 イオン注入Siの非晶質化過程 / p21 (0025.jp2)
  10. 2.1 序論 / p21 (0025.jp2)
  11. 2.2 実験方法 / p25 (0029.jp2)
  12. 2.3 結果と考察 / p26 (0030.jp2)
  13. 2.4 結論 / p39 (0043.jp2)
  14. 第2章参考文献 / p40 (0044.jp2)
  15. 第3章 高エネルギーSiイオン注入6H-SiCの再結晶化過程 / p41 (0045.jp2)
  16. 3.1 序論 / p41 (0045.jp2)
  17. 3.2 実験方法 / p42 (0046.jp2)
  18. 3.3 結果と考察 / p43 (0047.jp2)
  19. 3.4 結論 / p55 (0059.jp2)
  20. 第3章参考文献 / p56 (0060.jp2)
  21. 第4章 高エネルギーPイオン注入6H-SiCの再結晶化過程と電気的特性 / p57 (0061.jp2)
  22. 4.1 序論 / p57 (0061.jp2)
  23. 4.2 実験方法 / p58 (0062.jp2)
  24. 4.3 結果と考察 / p60 (0064.jp2)
  25. 4.4 結論 / p74 (0078.jp2)
  26. 第4章参考文献 / p75 (0079.jp2)
  27. 第5章 Si基板へのMgおよびCaイオン注入によるシリサイド形成 / p76 (0080.jp2)
  28. 5.1 序論 / p76 (0080.jp2)
  29. 5.2 実験方法 / p78 (0082.jp2)
  30. 5.3 結果と考察 / p80 (0084.jp2)
  31. 5.4 結論 / p93 (0097.jp2)
  32. 第5章参考文献 / p94 (0098.jp2)
  33. 第6章 SIMOX基板を用いたSiC-on-insulator 構造の作製 / p95 (0099.jp2)
  34. 6.1 序論 / p95 (0099.jp2)
  35. 6.2 実験方法 / p97 (0101.jp2)
  36. 6.3 結果と考察 / p101 (0105.jp2)
  37. 6.4 結論 / p110 (0114.jp2)
  38. 第6章参考文献 / p111 (0115.jp2)
  39. 第7章 結論 / p112 (0116.jp2)
  40. 謝辞 / p115 (0119.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000187620
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000187903
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000351934
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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