イオン注入によるSiおよびSiCの材料改質に関する基礎的研究
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Bibliographic Information
- Title
-
イオン注入によるSiおよびSiCの材料改質に関する基礎的研究
- Author
-
原田, 信介
- Author(Another name)
-
ハラダ, シンスケ
- University
-
九州大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5098号
- Degree year
-
2000-03-27
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 SiおよびSiCの材料物性 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 イオン注入による材料改質 / p9 (0013.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p18 (0022.jp2)
- 1.5 論文の構成 / p18 (0022.jp2)
- 第1章参考文献 / p19 (0023.jp2)
- 第2章 イオン注入Siの非晶質化過程 / p21 (0025.jp2)
- 2.1 序論 / p21 (0025.jp2)
- 2.2 実験方法 / p25 (0029.jp2)
- 2.3 結果と考察 / p26 (0030.jp2)
- 2.4 結論 / p39 (0043.jp2)
- 第2章参考文献 / p40 (0044.jp2)
- 第3章 高エネルギーSiイオン注入6H-SiCの再結晶化過程 / p41 (0045.jp2)
- 3.1 序論 / p41 (0045.jp2)
- 3.2 実験方法 / p42 (0046.jp2)
- 3.3 結果と考察 / p43 (0047.jp2)
- 3.4 結論 / p55 (0059.jp2)
- 第3章参考文献 / p56 (0060.jp2)
- 第4章 高エネルギーPイオン注入6H-SiCの再結晶化過程と電気的特性 / p57 (0061.jp2)
- 4.1 序論 / p57 (0061.jp2)
- 4.2 実験方法 / p58 (0062.jp2)
- 4.3 結果と考察 / p60 (0064.jp2)
- 4.4 結論 / p74 (0078.jp2)
- 第4章参考文献 / p75 (0079.jp2)
- 第5章 Si基板へのMgおよびCaイオン注入によるシリサイド形成 / p76 (0080.jp2)
- 5.1 序論 / p76 (0080.jp2)
- 5.2 実験方法 / p78 (0082.jp2)
- 5.3 結果と考察 / p80 (0084.jp2)
- 5.4 結論 / p93 (0097.jp2)
- 第5章参考文献 / p94 (0098.jp2)
- 第6章 SIMOX基板を用いたSiC-on-insulator 構造の作製 / p95 (0099.jp2)
- 6.1 序論 / p95 (0099.jp2)
- 6.2 実験方法 / p97 (0101.jp2)
- 6.3 結果と考察 / p101 (0105.jp2)
- 6.4 結論 / p110 (0114.jp2)
- 第6章参考文献 / p111 (0115.jp2)
- 第7章 結論 / p112 (0116.jp2)
- 謝辞 / p115 (0119.jp2)