プラズマCVD法による高品質Cu薄膜形成に関する基礎的研究

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著者

    • 金, 洪杰 キン, ホンジェ

書誌事項

タイトル

プラズマCVD法による高品質Cu薄膜形成に関する基礎的研究

著者名

金, 洪杰

著者別名

キン, ホンジェ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5224号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 記号の説明 / p3 (0005.jp2)
  3. 第1章 緒言 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 Cu配線導入の背景 / p4 (0010.jp2)
  5. 1.2 Cu薄膜形成技術の現状及び問題点 / p7 (0013.jp2)
  6. 1.3 プラズマCVD法によるCu薄膜形成技術の特徴及び課題 / p12 (0018.jp2)
  7. 1.4 本研究の意義と要約 / p17 (0023.jp2)
  8. 第2章 H原子によるCu薄膜中不純物除去の効果 / p20 (0026.jp2)
  9. 2.1 序論 / p20 (0026.jp2)
  10. 2.2 CuCVD材料の選択 / p21 (0027.jp2)
  11. 2.3 実験装置及び実験方法 / p24 (0030.jp2)
  12. 2.4 実験結果及び検討 / p29 (0035.jp2)
  13. 2.5 結論 / p38 (0044.jp2)
  14. 第3章 H原子源付プラズマCVD装置の試作と高純度Cu薄膜作製 / p39 (0045.jp2)
  15. 3.1 序論 / p39 (0045.jp2)
  16. 3.2 実験装置及び実験方法 / p40 (0046.jp2)
  17. 3.3 実験結果及び検討 / p49 (0055.jp2)
  18. 3.4 Cu薄膜の形成機構 / p65 (0071.jp2)
  19. 3.5 結論 / p68 (0074.jp2)
  20. 第4章 微細トレンチへの成膜及びその成膜形状シミュレーション / p70 (0076.jp2)
  21. 4.1 序論 / p70 (0076.jp2)
  22. 4.2 実験装置及び実験方法 / p72 (0078.jp2)
  23. 4.3 成膜実験結果及び検討 / p72 (0078.jp2)
  24. 4.4 成膜形状のシミュレーション / p74 (0080.jp2)
  25. 4.5 シミュレーションの結果及び検討 / p81 (0087.jp2)
  26. 4.6 結論 / p85 (0091.jp2)
  27. 第5章 総括 / p86 (0092.jp2)
  28. 5.1 結論 / p86 (0092.jp2)
  29. 5.2 今後の課題及び発展 / p89 (0095.jp2)
  30. 付録 成膜形状のシミュレーションプログラム / p91 (0097.jp2)
  31. 参考文献 / p100 (0106.jp2)
  32. 謝辞 / p102 (0108.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000187746
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188029
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352060
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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