気相成長させたⅢ-Ⅴ族半導体混晶の規則化メカニズムと微細組織制御

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著者

    • 寒川, 義裕 カンガワ, ヨシヒロ

書誌事項

タイトル

気相成長させたⅢ-Ⅴ族半導体混晶の規則化メカニズムと微細組織制御

著者名

寒川, 義裕

著者別名

カンガワ, ヨシヒロ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5232号

学位授与年月日

2000-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 《目次》 / (0003.jp2)
  2. 第1章.緒言 / p1 (0004.jp2)
  3. §1-1.本研究の位置付け / p1 (0004.jp2)
  4. §1-2.従来の実験結果および本研究の目的と概要 / p6 (0009.jp2)
  5. 第2章.TEMによるCuAu-I型規則化機構の解析 / p9 (0012.jp2)
  6. §2-1.実験目的 / p9 (0012.jp2)
  7. §2-2.試料作製方法 / p10 (0013.jp2)
  8. §2-3.規則化したInGaAs/(110)InP混晶中の微細組織 / p14 (0017.jp2)
  9. §2-4.実験結果に基づくCuAu-I型規則化機構の考察 / p23 (0026.jp2)
  10. §2-5.総括 / p27 (0030.jp2)
  11. 第3章.原子間ポテンシャルを用いたCuAu-I型規則化機構の理論的解析 / p28 (0031.jp2)
  12. §3-1.目的 / p28 (0031.jp2)
  13. §3-2.解析方法 / p30 (0033.jp2)
  14. §3-3.エピ層内部における規則構造安定性 / p42 (0045.jp2)
  15. §3-4.成長表面近傍での規則構造安定性 / p50 (0053.jp2)
  16. §3-5.成長過程に即した規則構造形成モデル / p57 (0060.jp2)
  17. §3-6.理論解析の結果に基づく規則構造形成モデルの妥当性の検証 / p70 (0073.jp2)
  18. §.3-7.総括 / p74 (0077.jp2)
  19. 第4章.モンテカルロ法による結晶成長シミュレーション / p76 (0079.jp2)
  20. §4-1.目的 / p76 (0079.jp2)
  21. §4-2.シミュレーション方法 / p79 (0082.jp2)
  22. §4-3.成長温度および成長速度に対する混晶の規則度依存性 / p84 (0087.jp2)
  23. §4-4.実験結果との比較検討 / p95 (0098.jp2)
  24. §4-5.総括 / p102 (0105.jp2)
  25. 第5章.結言 / p104 (0107.jp2)
  26. 謝辞 / p106 (0109.jp2)
  27. 参考文献 / p108 (0111.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000187754
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188037
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352068
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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