金属-非金属遷移を示すアモルファス合金の電子構造に関する研究

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著者

    • 鈴木, 敦子 スズキ, アツコ

書誌事項

タイトル

金属-非金属遷移を示すアモルファス合金の電子構造に関する研究

著者名

鈴木, 敦子

著者別名

スズキ, アツコ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第317号

学位授与年月日

2000-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成 / p2 (0006.jp2)
  5. 第1章参考文献 / p3 (0006.jp2)
  6. 第2章 計算方法 / p7 (0008.jp2)
  7. 2.1 Dv-Xα分子軌道計算法 / p7 (0008.jp2)
  8. 2.2 電子状態の解析 / p8 (0009.jp2)
  9. 2.3 クラスターの設定 / p9 (0009.jp2)
  10. 2.4 電気伝導の解析 / p10 (0010.jp2)
  11. 第2章参考文献 / p11 (0010.jp2)
  12. 第3章 Ge-Agアモルファス合金薄膜の電子状態 / p13 (0011.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p13 (0011.jp2)
  14. 3.2 実験方法と計算方法 / p14 (0012.jp2)
  15. 3.3 実験結果 / p15 (0012.jp2)
  16. 3.4 計算結果 / p18 (0014.jp2)
  17. 3.5 考察 / p19 (0014.jp2)
  18. 3.6 結論 / p22 (0016.jp2)
  19. 第3章参考文献 / p22 (0016.jp2)
  20. 第4章 Ge-Pdアモルファス合金の電子状態と金属-非金属遷移 / p35 (0022.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p35 (0022.jp2)
  22. 4.2 計算方法 / p36 (0023.jp2)
  23. 4.3 結果 / p36 (0023.jp2)
  24. 4.4 考察 / p40 (0025.jp2)
  25. 4.5 結論 / p41 (0025.jp2)
  26. 第4章参考文献 / p41 (0025.jp2)
  27. 第5章 Si-Tiアモルファス合金の電子状態と金属-非金属遷移 / p55 (0033.jp2)
  28. 5.1 緒言 / p55 (0033.jp2)
  29. 5.2 計算方法 / p56 (0034.jp2)
  30. 5.3 結果 / p56 (0034.jp2)
  31. 5.4 考察 / p60 (0036.jp2)
  32. 5.5 結論 / p61 (0036.jp2)
  33. 第5章参考文献 / p61 (0036.jp2)
  34. 第6章 Si中のTi不純物の電子状態 / p75 (0044.jp2)
  35. 6.1 緒言 / p75 (0044.jp2)
  36. 6.2 計算方法 / p76 (0045.jp2)
  37. 6.3 結果 / p76 (0045.jp2)
  38. 6.4 考察 / p81 (0047.jp2)
  39. 6.5 結論 / p83 (0048.jp2)
  40. 第6章参考文献 / p83 (0048.jp2)
  41. 第7章 総括 / p97 (0058.jp2)
  42. 謝辞 / p99 (0059.jp2)
  43. 発表論文 / p100 (0060.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000187895
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188178
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352209
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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