Low temperature growth of polycrystalline GaN-based thin films by RF plasma enhanced chemical vapor deposition RFプラズマ化学堆積法による多結晶GaN系薄膜の低温成長に関する研究

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著者

    • 朴, 斗哲 バク, ドウチョル

書誌事項

タイトル

Low temperature growth of polycrystalline GaN-based thin films by RF plasma enhanced chemical vapor deposition

タイトル別名

RFプラズマ化学堆積法による多結晶GaN系薄膜の低温成長に関する研究

著者名

朴, 斗哲

著者別名

バク, ドウチョル

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第8380号

学位授与年月日

2000-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / p1 (0001.jp2)
  2. CONTENTS / p1 (0004.jp2)
  3. Chapter 1 Introduction / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1 Backgrounds / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2 Purpose of This Study / p2 (0007.jp2)
  6. 1.3 Outlines of This Study / p4 (0008.jp2)
  7. References / p7 (0009.jp2)
  8. Chapter2 RF Plasma Enhanced CVD System / p9 (0010.jp2)
  9. 2.1 Introduction / p9 (0010.jp2)
  10. 2.2 Growth Equipment / p11 (0011.jp2)
  11. 2.3 Summary / p19 (0015.jp2)
  12. References / p20 (0016.jp2)
  13. Chapter3 Poly crystalline GaN Thin Films by RF PECVD / p21 (0016.jp2)
  14. 3.1 Introduction / p21 (0016.jp2)
  15. 3.2 Experimental Procedure / p22 (0017.jp2)
  16. 3.3 Investigations of Growth Conditions / p23 (0017.jp2)
  17. 3.4 Effect of Low Temperature Buffer Layer / p37 (0024.jp2)
  18. 3.5 Summary / p48 (0030.jp2)
  19. References / p49 (0030.jp2)
  20. Chapter4 GaN with Ion Elimination and Nitridation / p51 (0031.jp2)
  21. 4.1 Introduction / p51 (0031.jp2)
  22. 4.2 Ion Elimination Effects / p52 (0032.jp2)
  23. 4.3 Nitridation Effects / p62 (0037.jp2)
  24. 4.4 Summary / p71 (0041.jp2)
  25. References / p72 (0042.jp2)
  26. Chapter5 Polycrystalline InN Thin Films / p74 (0043.jp2)
  27. 5.1 Introduction / p74 (0043.jp2)
  28. 5.2 Experimental Procedure / p75 (0043.jp2)
  29. 5.3 Results and Discussion / p76 (0044.jp2)
  30. 5.4 Summary / p82 (0047.jp2)
  31. References / p83 (0047.jp2)
  32. Chapter6 InGaN Thin Films & GaN/InGaN Heterostructures / p84 (0048.jp2)
  33. 6.1 Introduction / p84 (0048.jp2)
  34. 6.2 InGaN Thin Films / p86 (0049.jp2)
  35. 6.3 GaN/InGaN Heterostructures / p96 (0054.jp2)
  36. 6.4 Summary / p99 (0055.jp2)
  37. References / p100 (0056.jp2)
  38. Chapter7 Conclusion / p101 (0056.jp2)
  39. 7.1 Conclusion / p101 (0056.jp2)
  40. 7.2 For the Future Works / p104 (0058.jp2)
  41. ACKNOWLEDGEMENTS / p106 (0059.jp2)
  42. ADDENDUM / p107 (0059.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188211
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188494
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352525
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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