Lattice location of impurities in ZnSe and GaN as studies by ion beam analysis イオンビームアナリシスによるZnSe、GaN中の不純物の格子位置解析

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著者

    • 小林, 一 コバヤシ, ハジメ

書誌事項

タイトル

Lattice location of impurities in ZnSe and GaN as studies by ion beam analysis

タイトル別名

イオンビームアナリシスによるZnSe、GaN中の不純物の格子位置解析

著者名

小林, 一

著者別名

コバヤシ, ハジメ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

乙第10360号

学位授与年月日

2000-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Contents / p1 (0005.jp2)
  3. Abstract / p1 (0007.jp2)
  4. Chapter1 Introduction / p2 (0008.jp2)
  5. 1-1 ZnSe and GaN semiconductors / p2 (0008.jp2)
  6. 1-2 Electrical properties of ZnSe and GaN / p6 (0012.jp2)
  7. 1-3 Analytical method to determine lattice location of impurities using ion channeling / p12 (0018.jp2)
  8. 1-4 Purpose of this research / p14 (0020.jp2)
  9. 1-5 Outline of this thesis / p14 (0020.jp2)
  10. Chapter2 Ion implanted N in ZnSe / p16 (0022.jp2)
  11. 2-1 Introduction / p16 (0022.jp2)
  12. 2-2 Experiment / p16 (0022.jp2)
  13. 2-3 Results and discussion / p39 (0045.jp2)
  14. 2-4 Conclusions / p49 (0055.jp2)
  15. Chapter3 MBE doped N in ZnSe / p51 (0057.jp2)
  16. 3-1 Introduction / p51 (0057.jp2)
  17. 3-2 Experiment / p52 (0058.jp2)
  18. 3-3 Results and discussion / p59 (0065.jp2)
  19. 3-4 Conclusions / p68 (0074.jp2)
  20. Chapter4 Ion implanted Si in GaN / p70 (0076.jp2)
  21. 4-1 Introduction / p70 (0076.jp2)
  22. 4-2 Experiment / p71 (0077.jp2)
  23. 4-3 Results and discussion / p86 (0092.jp2)
  24. 4-4 Conclusions / p95 (0101.jp2)
  25. Chapter5 Ion implanted Ca in GaN / p96 (0102.jp2)
  26. 5-1 Introduction / p96 (0102.jp2)
  27. 5-2 Experiment / p97 (0103.jp2)
  28. 5-3 Results and discussion / p106 (0112.jp2)
  29. 5-4 Conclusions / p114 (0120.jp2)
  30. Chapter6 Summary / p115 (0121.jp2)
  31. References / p118 (0124.jp2)
  32. List of publications / p124 (0129.jp2)
  33. Ca DOPANT SITE WITHIN ION IMPLANTED GaN LATTICE / p377 (0147.jp2)
  34. Si dopant site within ion implanted GaN lattice / p2132 (0153.jp2)
  35. Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio / p1077 (0157.jp2)
  36. Atomic nitrogen doping in p-ZnSe with high activation ratio using a high-power plasma source / (0160.jp2)
  37. Depth profiling of ultrashallow implanted P using NRA / p365 (0164.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188353
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188636
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352667
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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