Lattice location of impurities in ZnSe and GaN as studies by ion beam analysis イオンビームアナリシスによるZnSe、GaN中の不純物の格子位置解析
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Lattice location of impurities in ZnSe and GaN as studies by ion beam analysis
- タイトル別名
-
イオンビームアナリシスによるZnSe、GaN中の不純物の格子位置解析
- 著者名
-
小林, 一
- 著者別名
-
コバヤシ, ハジメ
- 学位授与大学
-
京都大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
乙第10360号
- 学位授与年月日
-
2000-03-23
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- Contents / p1 (0005.jp2)
- Abstract / p1 (0007.jp2)
- Chapter1 Introduction / p2 (0008.jp2)
- 1-1 ZnSe and GaN semiconductors / p2 (0008.jp2)
- 1-2 Electrical properties of ZnSe and GaN / p6 (0012.jp2)
- 1-3 Analytical method to determine lattice location of impurities using ion channeling / p12 (0018.jp2)
- 1-4 Purpose of this research / p14 (0020.jp2)
- 1-5 Outline of this thesis / p14 (0020.jp2)
- Chapter2 Ion implanted N in ZnSe / p16 (0022.jp2)
- 2-1 Introduction / p16 (0022.jp2)
- 2-2 Experiment / p16 (0022.jp2)
- 2-3 Results and discussion / p39 (0045.jp2)
- 2-4 Conclusions / p49 (0055.jp2)
- Chapter3 MBE doped N in ZnSe / p51 (0057.jp2)
- 3-1 Introduction / p51 (0057.jp2)
- 3-2 Experiment / p52 (0058.jp2)
- 3-3 Results and discussion / p59 (0065.jp2)
- 3-4 Conclusions / p68 (0074.jp2)
- Chapter4 Ion implanted Si in GaN / p70 (0076.jp2)
- 4-1 Introduction / p70 (0076.jp2)
- 4-2 Experiment / p71 (0077.jp2)
- 4-3 Results and discussion / p86 (0092.jp2)
- 4-4 Conclusions / p95 (0101.jp2)
- Chapter5 Ion implanted Ca in GaN / p96 (0102.jp2)
- 5-1 Introduction / p96 (0102.jp2)
- 5-2 Experiment / p97 (0103.jp2)
- 5-3 Results and discussion / p106 (0112.jp2)
- 5-4 Conclusions / p114 (0120.jp2)
- Chapter6 Summary / p115 (0121.jp2)
- References / p118 (0124.jp2)
- List of publications / p124 (0129.jp2)
- Ca DOPANT SITE WITHIN ION IMPLANTED GaN LATTICE / p377 (0147.jp2)
- Si dopant site within ion implanted GaN lattice / p2132 (0153.jp2)
- Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio / p1077 (0157.jp2)
- Atomic nitrogen doping in p-ZnSe with high activation ratio using a high-power plasma source / (0160.jp2)
- Depth profiling of ultrashallow implanted P using NRA / p365 (0164.jp2)
