Control of interface properties in ZnSe-GaAs heterovalent heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy 有機金属気相成長によるZnSe-GaAs価電子不整合ヘテロ構造の界面物性制御

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著者

    • 船戸, 充 フナト, ミツル

書誌事項

タイトル

Control of interface properties in ZnSe-GaAs heterovalent heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy

タイトル別名

有機金属気相成長によるZnSe-GaAs価電子不整合ヘテロ構造の界面物性制御

著者名

船戸, 充

著者別名

フナト, ミツル

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10403号

学位授与年月日

2000-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Abstract / (0005.jp2)
  3. Contents / p5 (0007.jp2)
  4. 1 Introduction / p1 (0009.jp2)
  5. 2 MOVPE Growth of ZnSe on GaAs / p11 (0014.jp2)
  6. 2.1 Introduction / p11 (0014.jp2)
  7. 2.2 MOVPE Growth / p12 (0015.jp2)
  8. 2.3 Preparation of GaAs Surfaces / p14 (0016.jp2)
  9. 2.4 Nucleation Processes of ZnSe on GaAs / p17 (0017.jp2)
  10. 2.5 Post-Growth Annealing / p34 (0026.jp2)
  11. 2.6 Summary / p35 (0026.jp2)
  12. 3 Control of Interface Properties in ZnSe-on-GaAs Heterovalent Heterostructures / p39 (0028.jp2)
  13. 3.1 Introduction / p39 (0028.jp2)
  14. 3.2 Preparation of ZnSe/GaAs Heterointerfaces / p40 (0029.jp2)
  15. 3.3 Control of Band Offsets / p41 (0029.jp2)
  16. 3.4 Interface Structures / p52 (0035.jp2)
  17. 3.5 Electric Field at the Interface / p61 (0039.jp2)
  18. 3.6 Summary / p67 (0042.jp2)
  19. 4 MOVPE Growth of GaAs on ZnSe / p71 (0044.jp2)
  20. 4.1 Introduction / p71 (0044.jp2)
  21. 4.2 Flow Sequence of GaAs Source Precursors at the Interface / p72 (0045.jp2)
  22. 4.3 Growth Mechanism of GaAs on ZnSe / p80 (0049.jp2)
  23. 4.4 Nucleation Processes of GaAs on ZnSe / p89 (0053.jp2)
  24. 4.5 Application to Low Dimensional Structures / p94 (0056.jp2)
  25. 4.6 Summary / p96 (0057.jp2)
  26. 5 Control of Interface Properties in GaAs-on-ZnSe Heterovalent Heterostructures / p99 (0058.jp2)
  27. 5.1 Introduction / p99 (0058.jp2)
  28. 5.2 Preparation of GaAs/ZnSe Heterointerfaces / p100 (0059.jp2)
  29. 5.3 Control of Band Offsets / p101 (0059.jp2)
  30. 5.4 Summary / p109 (0063.jp2)
  31. 6 Quantum Structures with Engineered Interface Properties / p111 (0064.jp2)
  32. 6.1 Introduction / p111 (0064.jp2)
  33. 6.2 Fabrication of ZnSe-GaAs Quantum Structures / p112 (0065.jp2)
  34. 6.3 Structural Properties / p117 (0067.jp2)
  35. 6.4 Optical-Absorption Properties / p119 (0068.jp2)
  36. 6.5 Summary / p134 (0076.jp2)
  37. 7 Conclusions / p137 (0077.jp2)
  38. Appendix / p141 (0079.jp2)
  39. Addendum / p143 (0080.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188396
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188679
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352710
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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