自己組織化としてのシリコン表面構造相転移の動的素過程に関する研究 Study on dynamical processes of structural phase transition on silicon surfaces from the viewpoint of self-organization jiko soshikika to shiteno shirikon hyomen kozo soten'i no doteki sokatei ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
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自己組織化としてのシリコン表面構造相転移の動的素過程に関する研究
- Other Title
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Study on dynamical processes of structural phase transition on silicon surfaces from the viewpoint of self-organization
- Other Title
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jiko soshikika to shiteno shirikon hyomen kozo soten'i no doteki sokatei ni kansuru kenkyu
- Author
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石丸, 哲也
- Author(Another name)
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イシマル, テツヤ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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甲第1418号
- Degree year
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2000-03-15
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1418号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2000-03-15 ; 早大学位記番号:新2936 ; 理工学図書館請求番号:2437
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景および目的 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 Si(111)〝1×1″→DAS構造相転移に関する従来の知見 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の概要 / p10 (0014.jp2)
- 第2章 本研究で用いた実験手法 / p13 (0017.jp2)
- 2.1 高温超高真空走査トンネル顕微鏡装置 / p13 (0017.jp2)
- 2.2 急冷却実験手法とその意義 / p21 (0025.jp2)
- 2.3 2章のまとめ / p26 (0030.jp2)
- 第3章 酸素がDAS構造形成に及ぼす影響の評価 / p28 (0032.jp2)
- 3.1 酸素がDAS構造に及ぼす影響評価の目的 / p28 (0032.jp2)
- 3.2 酸素の影響の評価手法 / p29 (0033.jp2)
- 3.3 酸素濃度の異なる基板上の急冷却後の7×7領域被覆率の測定 / p32 (0036.jp2)
- 3.4 DAS構造形成の活性化エネルギーの見積もりとその考察 / p37 (0041.jp2)
- 3.5 3章のまとめ / p40 (0044.jp2)
- 第4章 DAS構造サイズ変化の速度論的解析 / p42 (0046.jp2)
- 4.1 DAS構造サイズ変化の速度論的解析の目的 / p42 (0046.jp2)
- 4.2 速度論的解析のためのSTM観察の手法 / p44 (0048.jp2)
- 4.3 DAS構造サイズ変化のSTM観察 / p45 (0049.jp2)
- 4.4 DAS構造サイズ変化の速度論と素過程に関する考察 / p61 (0065.jp2)
- 4.5 4章のまとめ / p70 (0074.jp2)
- 第5章 DAS構造形成･消滅過程の速度論的解析 / p72 (0076.jp2)
- 5.1 DAS構造形成･消滅過程の速度論的解析の目的 / p72 (0076.jp2)
- 5.2 速度論的解析のためのSTM観察の手法 / p73 (0077.jp2)
- 5.3 DAS領域成長のSTM観察 / p74 (0078.jp2)
- 5.4 DAS構造形成･消滅の頻度･活性化エネルギーの測定とその結果の考察 / p86 (0090.jp2)
- 5.5 5章のまとめ / p97 (0101.jp2)
- 第6章 結論 / p99 (0103.jp2)
- 謝辞 / p101 (0105.jp2)
- 研究業績 / p102 (0106.jp2)
