走査トンネル顕微鏡法によるα-Sn/InSb{111}A,B-(2×2)系における構造・電子状態および初期成長過程の評価
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著者
書誌事項
- タイトル
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走査トンネル顕微鏡法によるα-Sn/InSb{111}A,B-(2×2)系における構造・電子状態および初期成長過程の評価
- 著者名
-
江口, 豊明
- 著者別名
-
エグチ, トヨアキ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第1424号
- 学位授与年月日
-
2000-03-02
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1.はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1-2.本論文の目的 / p5 (0009.jp2)
- 1-3.本論文の概要 / p6 (0010.jp2)
- 第2章 走査トンネル顕微鏡法(STM)~原理および装置~ / p9 (0013.jp2)
- 2-1.はじめに / p9 (0013.jp2)
- 2-2.STMの理論 / p13 (0017.jp2)
- 2-3.UHV-STM/RHEED装置の構成 / p19 (0023.jp2)
- 2-4.実験の方法と手順 / p23 (0027.jp2)
- 第3章 InSb{111}A,B-(2×2)表面のSTMによる評価 / p26 (0030.jp2)
- 3-1.はじめに / p26 (0030.jp2)
- 3-2.表面トポグラフの観察 / p32 (0036.jp2)
- 3-3.InSb{111}A,B-(2×2)表面の安定性に関する一考察 / p39 (0044.jp2)
- 3-4.局所構造の評価 / p44 (0049.jp2)
- 3-5.結論 / p49 (0054.jp2)
- 第4章 InSb{111}A,B-(2×2)表面上でのα-Sn薄膜形成過程 / p51 (0056.jp2)
- 4-1.はじめに / p51 (0056.jp2)
- 4-2.Sn/InSb(111)A-(2×2)系 / p54 (0059.jp2)
- 4-3.Sn/InSb(111)B-(2×2)系 / p69 (0074.jp2)
- 4-4.結論 / p75 (0080.jp2)
- 第5章 α-Sn(111)表面の構造と電子状態 / p77 (0082.jp2)
- 5-1.はじめに / p77 (0082.jp2)
- 5-2.α-Sn(111)-(3×3)表面 / p80 (0085.jp2)
- 5-3.α-Sn(111)-(2×2)表面 / p85 (0090.jp2)
- 5-4.結論 / p97 (0102.jp2)
- 第6章 総括 / p99 (0104.jp2)
- 謝辞 / p102 (0107.jp2)
- 研究業績 / p103 (0108.jp2)