走査トンネル顕微鏡法によるα-Sn/InSb{111}A,B-(2×2)系における構造・電子状態および初期成長過程の評価

この論文をさがす

著者

    • 江口, 豊明 エグチ, トヨアキ

書誌事項

タイトル

走査トンネル顕微鏡法によるα-Sn/InSb{111}A,B-(2×2)系における構造・電子状態および初期成長過程の評価

著者名

江口, 豊明

著者別名

エグチ, トヨアキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1424号

学位授与年月日

2000-03-02

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1.はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2.本論文の目的 / p5 (0009.jp2)
  5. 1-3.本論文の概要 / p6 (0010.jp2)
  6. 第2章 走査トンネル顕微鏡法(STM)~原理および装置~ / p9 (0013.jp2)
  7. 2-1.はじめに / p9 (0013.jp2)
  8. 2-2.STMの理論 / p13 (0017.jp2)
  9. 2-3.UHV-STM/RHEED装置の構成 / p19 (0023.jp2)
  10. 2-4.実験の方法と手順 / p23 (0027.jp2)
  11. 第3章 InSb{111}A,B-(2×2)表面のSTMによる評価 / p26 (0030.jp2)
  12. 3-1.はじめに / p26 (0030.jp2)
  13. 3-2.表面トポグラフの観察 / p32 (0036.jp2)
  14. 3-3.InSb{111}A,B-(2×2)表面の安定性に関する一考察 / p39 (0044.jp2)
  15. 3-4.局所構造の評価 / p44 (0049.jp2)
  16. 3-5.結論 / p49 (0054.jp2)
  17. 第4章 InSb{111}A,B-(2×2)表面上でのα-Sn薄膜形成過程 / p51 (0056.jp2)
  18. 4-1.はじめに / p51 (0056.jp2)
  19. 4-2.Sn/InSb(111)A-(2×2)系 / p54 (0059.jp2)
  20. 4-3.Sn/InSb(111)B-(2×2)系 / p69 (0074.jp2)
  21. 4-4.結論 / p75 (0080.jp2)
  22. 第5章 α-Sn(111)表面の構造と電子状態 / p77 (0082.jp2)
  23. 5-1.はじめに / p77 (0082.jp2)
  24. 5-2.α-Sn(111)-(3×3)表面 / p80 (0085.jp2)
  25. 5-3.α-Sn(111)-(2×2)表面 / p85 (0090.jp2)
  26. 5-4.結論 / p97 (0102.jp2)
  27. 第6章 総括 / p99 (0104.jp2)
  28. 謝辞 / p102 (0107.jp2)
  29. 研究業績 / p103 (0108.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188477
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188760
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352791
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ