シリコンナノエンジニアリングの基礎としての表面構造自己組織化に関する研究 Study on self-organization of surface structures as a basis for silicon nano-engineering shirikon nano enjiniaringu no kiso to shiteno hyomen kozo jiko soshikika ni kansuru kenkyu

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著者

    • 嶋田, 一義 シマダ, カズヨシ

書誌事項

タイトル

シリコンナノエンジニアリングの基礎としての表面構造自己組織化に関する研究

タイトル別名

Study on self-organization of surface structures as a basis for silicon nano-engineering

タイトル別名

shirikon nano enjiniaringu no kiso to shiteno hyomen kozo jiko soshikika ni kansuru kenkyu

著者名

嶋田, 一義

著者別名

シマダ, カズヨシ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1436号

学位授与年月日

2000-03-02

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲1436号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2000-03-2 ; 早大学位記番号:新2954 ; 理工学図書館請求番号:2443

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景及び目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の概要 / p5 (0009.jp2)
  5. 第2章 イオン照射による表面改質がDAS構造自己組織化に及ぼす影響の解明 / p8 (0012.jp2)
  6. 2.1 表面改質過程の直接観察の必要性 / p8 (0012.jp2)
  7. 2.2 低速イオン銃/超高真空STM複合装置の開発 / p10 (0014.jp2)
  8. 2.3 Si(111)7×7表面へのアルゴンイオン照射過程のリアルタイムSTM観察 / p26 (0030.jp2)
  9. 2.4 第2章のまとめ / p32 (0036.jp2)
  10. 第3章 Si(111)表面上におけるDAS構造自己組織化の速度論的解析 / p34 (0038.jp2)
  11. 3.1 自己組織化としてのSi(111)DAS構造相転移 / p34 (0038.jp2)
  12. 3.2 表面構造自己組織化の速度論的評価方法 / p42 (0046.jp2)
  13. 3.3 DASドメインサイズ分布の時間発展 / p59 (0063.jp2)
  14. 3.4 二次元成長モデルに基づくドメインサイズ分布時間発展の速度論的解析 / p71 (0075.jp2)
  15. 3.5 第3章のまとめ / p80 (0084.jp2)
  16. 第4章 Si(111)表面上におけるDAS構造自己組織化に及ぼす不純物の影響の解明 / p83 (0087.jp2)
  17. 4.1 自己組織化における不純物の役割の重要性 / p83 (0087.jp2)
  18. 4.2 DAS構造自己組織化の動的過程に及ぼす微量酸素の影響の評価 / p93 (0097.jp2)
  19. 4.3 Si(111)表面酸化過程の表面構造依存性の評価 / p102 (0106.jp2)
  20. 4.4 第4章のまとめ / p113 (0117.jp2)
  21. 第5章 結論 / p116 (0120.jp2)
  22. 謝辞 / p119 (0123.jp2)
  23. 研究業績 / p120 (0124.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188489
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188772
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000352803
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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