大規模集積回路における高誘電率絶縁膜キャパシタに関する研究 Study on high dielectric constant film capacitors for large scale integrated circuits daikibo shuseki kairo ni okeru ko yudenritsu zetsuenmaku kyapashita ni kansuru kenkyu

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著者

    • 青山, 知憲 アオヤマ, トモノリ

書誌事項

タイトル

大規模集積回路における高誘電率絶縁膜キャパシタに関する研究

タイトル別名

Study on high dielectric constant film capacitors for large scale integrated circuits

タイトル別名

daikibo shuseki kairo ni okeru ko yudenritsu zetsuenmaku kyapashita ni kansuru kenkyu

著者名

青山, 知憲

著者別名

アオヤマ, トモノリ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1518号

学位授与年月日

2000-03-02

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1518号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2000-03-2 ; 早大学位記番号:新2981 ; 理工学図書館請求番号:2482

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p5 (0007.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成と概要 / p6 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p8 (0009.jp2)
  7. 第2章 キャパシタ絶縁膜及び電極の材料選定と高誘電率絶縁膜キャパシタに関する課題 / p9 (0009.jp2)
  8. 2.1 キャパシタ絶縁膜の材料選定 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.2 キャパシタ電極の材料選定 / p16 (0013.jp2)
  10. 2.3 高誘電率絶縁膜キャパシタに関する課題 / p18 (0014.jp2)
  11. 参考文献 / p21 (0015.jp2)
  12. 第3章 酸素添加によるRu電極/Si界面反応制御 / p23 (0016.jp2)
  13. 3.1 Ru電極/Si界面制御の必要性 / p23 (0016.jp2)
  14. 3.2 酸素添加スパッタリング法によるRu膜の物性 / p26 (0018.jp2)
  15. 3.3 酸素添加によるRu膜のシリサイド化抑制機構 / p33 (0021.jp2)
  16. 3.4 まとめ / p44 (0027.jp2)
  17. 参考文献 / p47 (0028.jp2)
  18. 第4章 Ru電極の表面平滑化と配向性制御 / p48 (0029.jp2)
  19. 4.1 Ru電極表面平滑化及び結晶性制御の必要性 / p48 (0029.jp2)
  20. 4.2 Ru膜物性の成膜条件依存牲 / p48 (0029.jp2)
  21. 4.3 Ru膜の平滑化 / p56 (0033.jp2)
  22. 4.4 Ru膜の高配向化 / p56 (0033.jp2)
  23. 4.5 まとめ / p65 (0037.jp2)
  24. 参考文献 / p67 (0038.jp2)
  25. 第5章 化学気相成長法によるRu電極の形成 / p69 (0039.jp2)
  26. 5.1 化学気相成長法の必要性 / p69 (0039.jp2)
  27. 5.2 Ru膜の段差被覆性向上 / p70 (0040.jp2)
  28. 5.3 反応機構の解明とRu膜表面の平滑化 / p84 (0047.jp2)
  29. 5.4 液体原料供給を用いた化学気相成長法 / p101 (0055.jp2)
  30. 5.5 まとめ / p107 (0058.jp2)
  31. 参考文献 / p113 (0061.jp2)
  32. 第6章 Ta₂O₅膜キャパシタの電気的特性の向上 / p114 (0062.jp2)
  33. 6.1 化学気相成長法によるTa₂O₅膜の堆積 / p114 (0062.jp2)
  34. 6.2 結晶化による比誘電率の向上 / p118 (0064.jp2)
  35. 6.3 Ta₂O₅膜キャパシタのリーク電流機構 / p118 (0064.jp2)
  36. 6.4 酸素プラズマ処理による非晶質Ta₂O₅膜の改質 / p128 (0069.jp2)
  37. 6.5 多結晶Ta₂O₅膜のリーク電流におけるSi拡散の影響 / p131 (0070.jp2)
  38. 6.6 MIM構造によるキャパシタ性能の向上 / p137 (0073.jp2)
  39. 6.7 まとめ / p141 (0075.jp2)
  40. 参考文献 / p144 (0077.jp2)
  41. 第7章 (Ba,Sr)TiO₃膜キャパシタの電気的特性の向上 / p146 (0078.jp2)
  42. 7.1 GbitDRAMのための(Ba,Sr)TiO₃膜キャパシタの必要性 / p146 (0078.jp2)
  43. 7.2 Ru電極高配向化による(Ba,Sr)TiO₃膜キャパシタ特性の向上 / p147 (0078.jp2)
  44. 7.3 化学気相成長法による(Ba,Sr)TiO₃膜キャパシタの形成 / p164 (0087.jp2)
  45. 7.4 まとめ / p170 (0090.jp2)
  46. 参考文献 / p172 (0091.jp2)
  47. 第8章 結論 / p174 (0092.jp2)
  48. 謝辞 / p179 (0094.jp2)
  49. 研究業績 / p180 (0095.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188570
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188853
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000352884
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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