シリコンの微細加工のためのナノ構造制御に関する研究

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著者

    • 田中, 英行 タナカ, ヒデユキ

書誌事項

タイトル

シリコンの微細加工のためのナノ構造制御に関する研究

著者名

田中, 英行

著者別名

タナカ, ヒデユキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1530号

学位授与年月日

2000-03-02

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 限界に近づきつつある半導体ウェーハ表面の微細加工 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 微細加工にブレークスルーをもたらす表面微細構造の制御 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的と意義 / p6 (0008.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
  7. 参考文献 / p9 (0009.jp2)
  8. 第2章 Si表面のステップ分布の制御法の確立 / p11 (0010.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p11 (0010.jp2)
  10. 2.2 ステップの実空間観察手段 / p14 (0012.jp2)
  11. 2.3 傾斜角0.5度未満の(111)表面でのステップ分布の特徴 / p28 (0019.jp2)
  12. 2.4 傾斜角の増大に伴う(111)面での表面形態の変化 / p43 (0026.jp2)
  13. 2.5 Si蒸着によるステップの制御 / p59 (0034.jp2)
  14. 2.7 まとめ / p70 (0040.jp2)
  15. 参考文献 / p72 (0041.jp2)
  16. 第3章 固体表面上でのSiクラスターの制御法の確立 / p76 (0043.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p76 (0043.jp2)
  18. 3.2 クラスターの検出手段 / p77 (0043.jp2)
  19. 3.3 クラスターの発生方法 / p86 (0048.jp2)
  20. 3.4 クラスターサイズを減少させる材料の開発 / p97 (0053.jp2)
  21. 3.5 クラスターサイズを増大させる材料の開発 / p104 (0057.jp2)
  22. 3.6 クラスター成長を促進する表面構造の解明 / p111 (0060.jp2)
  23. 3.7 まとめ / p125 (0067.jp2)
  24. 参考文献 / p126 (0068.jp2)
  25. 第4章 表面微細構造物の産業応用検討 / p129 (0069.jp2)
  26. 4.1 ステップエンジニアリングの提唱 / p129 (0069.jp2)
  27. 4.2 表面状態の制御が不可欠なウェーハの直接接着技術の概要 / p130 (0070.jp2)
  28. 4.3 現状のウェーハ直接接着技術における問題点 / p134 (0072.jp2)
  29. 4.4 問題解決のためのステップ形状制御 / p135 (0072.jp2)
  30. 4.5 まとめ / p137 (0073.jp2)
  31. 参考文献 / p138 (0074.jp2)
  32. 第5章 結論 / p140 (0075.jp2)
  33. 謝辞 / p145 (0077.jp2)
  34. 付録A:Si(111)7x7構造 / p146 (0078.jp2)
  35. 付録B:様々の物質の質量スペクトル / p147 (0078.jp2)
  36. 付録C:元素の同位体の存在比 / p149 (0079.jp2)
  37. 付録D:[化学式]の同位体の存在比 / p151 (0080.jp2)
  38. 本論文に関わる研究業績の一覧 / p157 (0083.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188582
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000188865
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000352896
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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