二次イオン質量分析法による半導体プロセス最適化のための評価法に関する研究

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著者

    • 齋藤, 玲子 サイトウ, レイコ

書誌事項

タイトル

二次イオン質量分析法による半導体プロセス最適化のための評価法に関する研究

著者名

齋藤, 玲子

著者別名

サイトウ, レイコ

学位授与大学

成蹊大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第40号

学位授与年月日

2000-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序説 / p3 (0004.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p3 (0004.jp2)
  4. 1.2 電子デバイス製造プロセス評価における表面分析法の現状と課題 / p4 (0005.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p8 (0007.jp2)
  6. 1.4 概要 / p18 (0012.jp2)
  7. 参考文献 / p20 (0013.jp2)
  8. 第2章 二次イオン質量分析法の概観 / p22 (0014.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p22 (0014.jp2)
  10. 2.2 SIMSの原理 / p23 (0014.jp2)
  11. 2.3 SIMSに用いられる装置 / p33 (0019.jp2)
  12. 2.4 SIMS分析の実際 / p39 (0022.jp2)
  13. 2.4 まとめ / p45 (0025.jp2)
  14. 参考文献 / p47 (0026.jp2)
  15. 第3章 SIMSによるSi酸化膜中Naの評価 / p50 (0028.jp2)
  16. 3.1 はじめに / p50 (0028.jp2)
  17. 3.2 SiO2膜中Naの正確な評価法の確立 / p52 (0029.jp2)
  18. 3.3 Si酸化膜中Naの挙動に関する検討 / p71 (0038.jp2)
  19. 3.4 まとめ / p88 (0047.jp2)
  20. 参考文献 / p90 (0048.jp2)
  21. 第4章 有機物表面からの二次イオン生成、放出の評価 / p92 (0049.jp2)
  22. 4.1 はじめに / p92 (0049.jp2)
  23. 4.2 ポリマー化学構造評価に対するTOF-SIMSの適用 / p93 (0049.jp2)
  24. 4.3 各種有機薄膜表面からの二次イオン放出 / p104 (0055.jp2)
  25. 4.4 まとめ / p112 (0059.jp2)
  26. 参考文献 / p113 (0059.jp2)
  27. 第5章 TOF-SIMSを用いたフォトレジスト表面の化学構造評価 / p114 (0060.jp2)
  28. 5.1 はじめに / p114 (0060.jp2)
  29. 5.2 フォトレジストの化学構造と実験条件 / p115 (0060.jp2)
  30. 5.3 UV光を照射したフォトレジスト表面の化学構造変化 / p117 (0061.jp2)
  31. 5.4 O2プラズマ処理を行なったフォトレジスト表面の化学構造変化 / p130 (0068.jp2)
  32. 5.5 イオン注入によるレジストの化学構造変化とその深さ方向評価 / p139 (0072.jp2)
  33. 5.6 まとめ / p146 (0076.jp2)
  34. 参考文献 / p147 (0076.jp2)
  35. 第6章 結論 / p148 (0077.jp2)
  36. 謝辞 / p151 (0078.jp2)
  37. 業績リスト / p152 (0079.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000188912
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000189195
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000353226
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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