理論と実験によるⅣ族プラズマ表面反応機構の解明

この論文をさがす

著者

    • 鄭, 世鴻 テイ, セイコウ

書誌事項

タイトル

理論と実験によるⅣ族プラズマ表面反応機構の解明

著者名

鄭, 世鴻

著者別名

テイ, セイコウ

学位授与大学

横浜国立大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第381号

学位授与年月日

2000-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0002.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 参考文献 / p4 (0008.jp2)
  4. 第2章 理論 / p5 (0009.jp2)
  5. 2-1 分子軌道法 / p5 (0009.jp2)
  6. 2-2 プラズマCVD法 / p18 (0022.jp2)
  7. 2-3 赤外吸収分光法 / p20 (0024.jp2)
  8. 2-4 ラマン分光法 / p21 (0025.jp2)
  9. 参考文献 / p23 (0027.jp2)
  10. 第3章 炭素系プラズマ表面反応の理論計算 / p24 (0028.jp2)
  11. 3-1 前書き / p24 (0028.jp2)
  12. 3-2 計算方法 / p28 (0032.jp2)
  13. 3-3 結果及び考察 / p29 (0033.jp2)
  14. 3-4 メタン系プラズマ表面反応のまとめ / p43 (0047.jp2)
  15. 参考文献 / p44 (0048.jp2)
  16. 第4章 a-C:H膜の作製及び理論計算との対応 / p45 (0049.jp2)
  17. 4-1 前書き / p45 (0049.jp2)
  18. 4-2 実験方法 / p46 (0050.jp2)
  19. 4-3 結果及び考察 / p48 (0052.jp2)
  20. 4-4 実験結果のまとめ / p53 (0057.jp2)
  21. 参考文献 / p54 (0058.jp2)
  22. 第5章 a-SiC:H系のプラズマ表面反応の理論計算 / p55 (0059.jp2)
  23. 5-1 前書き / p55 (0059.jp2)
  24. 5-2 計算方法 / p57 (0061.jp2)
  25. 5-3 結果及び考察 / p59 (0063.jp2)
  26. 5-4 SiH₄/CH₄系プラズマ表面反応のまとめ / p85 (0089.jp2)
  27. 参考文献 / p86 (0090.jp2)
  28. 第6章 理論計算によるa-SiC:H系のプラズマ表面反応の反応設計 / p87 (0091.jp2)
  29. 6-1 前書き / p87 (0091.jp2)
  30. 6-2 計算方法 / p88 (0092.jp2)
  31. 6-3 結果及び考察 / p89 (0093.jp2)
  32. 6-4 a-SiC:Hへの反応設計のまとめ / p111 (0115.jp2)
  33. 参考文献 / p112 (0116.jp2)
  34. 第7章 結論及び今後の展望 / p113 (0117.jp2)
  35. 《メタン系プラズマ表面反応》 / p113 (0117.jp2)
  36. 《a-SiC:H系のプラズマ表面反応及び反応設計》 / p114 (0118.jp2)
  37. 《今後の展望》 / p115 (0119.jp2)
  38. 発表論文リスト / p116 (0120.jp2)
  39. 謝辞 / p118 (0122.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189043
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000189326
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000353357
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ