MOMBE法によるGaAsの選択成長技術とそのデバイス応用に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 古畑, 直規 フルハタ, ナオキ

書誌事項

タイトル

MOMBE法によるGaAsの選択成長技術とそのデバイス応用に関する研究

著者名

古畑, 直規

著者別名

フルハタ, ナオキ

学位授与大学

横浜国立大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第149号

学位授与年月日

2000-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1.はじめに / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2.化合物半導体デバイスの特徴 / p1 (0006.jp2)
  5. 1.3.MBE法とMOVPE法について / p4 (0008.jp2)
  6. 1.4.MOMBE法の特徴 / p6 (0009.jp2)
  7. 1.5.MOMBE法開発の歴史 / p7 (0009.jp2)
  8. 1.6.選択成長技術について / p8 (0010.jp2)
  9. 1.7.本論文の構成 / p9 (0010.jp2)
  10. 【第1章の参考文献】 / p11 (0011.jp2)
  11. 第2章 MOMBEの装置構成と高純度GaAs成長 / p12 (0012.jp2)
  12. 2.1.はじめに / p12 (0012.jp2)
  13. 2.2.MOMBE装置 / p12 (0012.jp2)
  14. 2.3.実験 / p15 (0013.jp2)
  15. 2.4.実験結果 / p16 (0014.jp2)
  16. 2.5.考察(AlGaAs中へのC混入のメカニズム) / p21 (0016.jp2)
  17. 2.6.まとめ / p22 (0017.jp2)
  18. 【第2章の参考文献】 / p23 (0017.jp2)
  19. 第3章 GaAsの選択成長と高濃度ドーピング / p25 (0018.jp2)
  20. 3.1.GaAsの選択成長 / p25 (0018.jp2)
  21. 3.2.GaAs層への不純物高濃度ドーピンク / p39 (0025.jp2)
  22. 3.3.MOVPE法によるGaAs層へのSi高濃度ドーピング(GaAs層中にドーピンクされたSiの補償機構) / p46 (0029.jp2)
  23. 第4章 成長前処理技術 / p56 (0034.jp2)
  24. 4.1.Cl₂ガスエッチング / p57 (0034.jp2)
  25. 4.2.H₂プラズマ処理 / p72 (0042.jp2)
  26. 4.3.硫化アンモニウム処理(サルファー処理) / p77 (0044.jp2)
  27. 第5章 GaAs選択成長技術のデバイス応用 / p88 (0050.jp2)
  28. 5.1.n⁺-GaAs選択成長のHJFET応用における基礎検討 / p89 (0050.jp2)
  29. 5.2.p⁺-GaAs選択成長を用いたpチャネルHJFETの作製と評価 / p97 (0054.jp2)
  30. 5.3.p⁺-GaAs選択成長により外部ベースを形成したHBT / p110 (0061.jp2)
  31. 5.4.選択成長により形成したp⁺-GaAsゲートを有するHJFET / p115 (0063.jp2)
  32. 第6章 結論 / p123 (0067.jp2)
  33. 6.1.本論文のまとめ / p123 (0067.jp2)
  34. 6.2.今後の課題と展望 / p128 (0070.jp2)
  35. 謝辞 / p130 (0071.jp2)
  36. 業績リスト / p132 (0072.jp2)
  37. 著者略歴 / p141 (0076.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189067
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000189350
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000353381
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ