プラズマ励起を利用したMBE法によるGaN結晶成長とプラズマ励起効果に関する研究

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著者

    • 千葉, 恭男 チバ, ヤスオ

書誌事項

タイトル

プラズマ励起を利用したMBE法によるGaN結晶成長とプラズマ励起効果に関する研究

著者名

千葉, 恭男

著者別名

チバ, ヤスオ

学位授与大学

立命館大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第162号

学位授与年月日

2000-03-31

注記・抄録

博士論文

博士(工学)

目次

  1. 目次 / 目次1 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p4 (0007.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
  6. 第1章参考文献 / p6 (0008.jp2)
  7. 第2章 ECR-MBE成長法と発光分光分析 / p9 (0009.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p10 (0010.jp2)
  9. 2.2 ECR-MBE装置 / p11 (0010.jp2)
  10. 2.3 ECR-MBE成長 / p14 (0012.jp2)
  11. 2.4 GaNエピタキシャル層の評価 / p19 (0014.jp2)
  12. 2.5 発光分光分析装置と分光記号 / p23 (0016.jp2)
  13. 2.6 結言 / p29 (0019.jp2)
  14. 第2章参考文献 / p30 (0020.jp2)
  15. 第3章 発光分光分析のその場観察法としての有効性 / p31 (0020.jp2)
  16. 3.1 緒言 / p32 (0021.jp2)
  17. 3.2 窒素プラズマの発光分光分析 / p34 (0022.jp2)
  18. 3.3 ヘリウム・窒素混合プラズマの発光分光分析 / p44 (0027.jp2)
  19. 3.4 GaN結晶成長中の発光分光分析 / p50 (0030.jp2)
  20. 3.5 ヘリウム・窒素混合プラズマを用いたGaN結晶成長 / p59 (0034.jp2)
  21. 3.6 結言 / p61 (0035.jp2)
  22. 第3章参考文献 / p62 (0036.jp2)
  23. 第4章 水素・窒素混合プラズマを用いたGaNの結晶成長とその構造評価 / p65 (0037.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p66 (0038.jp2)
  25. 4.2 水素・窒素混合プラズマを用いたGaN結晶成長 / p69 (0039.jp2)
  26. 4.3 GaN表面及び断面の電子顕微鏡観察 / p85 (0047.jp2)
  27. 4.4 結言 / p103 (0056.jp2)
  28. 第4章 参考文献 / p104 (0057.jp2)
  29. 第5章 結論 / p109 (0059.jp2)
  30. 謝辞 / p113 (0061.jp2)
  31. 研究業績一覧 / p114 (0062.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189080
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000189363
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000353394
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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