GaAs/AlGaAs系における電子スピン緩和時間の制御に関する研究

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著者

    • 遠藤, 俊博 エンドウ, トシヒロ

書誌事項

タイトル

GaAs/AlGaAs系における電子スピン緩和時間の制御に関する研究

著者名

遠藤, 俊博

著者別名

エンドウ, トシヒロ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5136号

学位授与年月日

2000-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. はじめに / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 スピン偏極とスピン緩和 / p11 (0016.jp2)
  4. 1.1 スピン偏極 / p11 (0016.jp2)
  5. 1.2 スピン緩和機構 / p14 (0019.jp2)
  6. 1.3 パルス励起時の伝導帯電子変化を表すレート方程式 / p19 (0024.jp2)
  7. 1.4 定常励起時の伝導帯電子変化を表すレート方程式 / p21 (0026.jp2)
  8. 第2章 MBE装置による量子井戸型構造試料の作製 / p25 (0030.jp2)
  9. 2.1 分子線エピタキシー法 / p27 (0032.jp2)
  10. 2.2 試料基板のプリパレーション / p28 (0033.jp2)
  11. 2.3 RHEED観察 / p30 (0035.jp2)
  12. 2.4 構造試料の作製 / p34 (0039.jp2)
  13. 2.5 SIMSによる試料構造の評価 / p40 (0045.jp2)
  14. 第3章 超短パルスレーザーを用いた時間分解フォトルミネッセンス測定 / p47 (0052.jp2)
  15. 3.1 光源 / p47 (0052.jp2)
  16. 3.2 光学系 / p50 (0055.jp2)
  17. 3.3 クライオスタット / p53 (0058.jp2)
  18. 3.4 検出系 / p54 (0059.jp2)
  19. 3.5 ストリークカメラによる観測 / p54 (0059.jp2)
  20. 第4章 δドープGaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造試料のフォトルミネッセンス測定 / p57 (0062.jp2)
  21. 4.1 発光スペクトル / p57 (0062.jp2)
  22. 4.2 井戸による発光のエネルギー位置 / p60 (0065.jp2)
  23. 第5章 スピン緩和時間 / p68 (0073.jp2)
  24. 5.1 スピン緩和時間の算出 / p68 (0073.jp2)
  25. 5.2 井戸幅依存性 / p75 (0080.jp2)
  26. 第6章 まとめ / p82 (0087.jp2)
  27. 謝辞 / p89 (0094.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189579
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000189862
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000353893
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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