カルコパイライト系半導体の構造・伝導度制御に関する研究

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著者

    • 田中, 徹 タナカ, トオル

書誌事項

タイトル

カルコパイライト系半導体の構造・伝導度制御に関する研究

著者名

田中, 徹

著者別名

タナカ, トオル

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第260号

学位授与年月日

2000-03-22

注記・抄録

博士論文

豊橋技術科学大学

目次

  1. 論文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0006.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.1 太陽光発電の現状と材料系 / p1 (0008.jp2)
  5. 1.2 カルコパイライト系半導体の薄膜太陽電池への応用と問題点 / p4 (0010.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的 / p15 (0015.jp2)
  7. 1.4 結言 / p17 (0016.jp2)
  8. 参考文献 / p18 (0017.jp2)
  9. 第2章 薄膜の作製方法と評価技術 / p23 (0019.jp2)
  10. 2.1 緒言 / p23 (0019.jp2)
  11. 2.2 薄膜作製技術 / p23 (0019.jp2)
  12. 2.3 イオン注入法 / p25 (0020.jp2)
  13. 2.4 組成分析 / p26 (0021.jp2)
  14. 2.5 結晶性 / p32 (0024.jp2)
  15. 2.6 表面・断面観察 / p37 (0026.jp2)
  16. 2.7 光吸収特性の評価 / p38 (0027.jp2)
  17. 2.8 電気的特性の評価 / p40 (0028.jp2)
  18. 2.9 結言 / p42 (0029.jp2)
  19. 参考文献 / p43 (0029.jp2)
  20. 第3章 Cu(ln,Ga)Se₂へのNa添加による結晶構造の制御 / p45 (0030.jp2)
  21. 3.1 緒言 / p45 (0030.jp2)
  22. 3.2 実験条件 / p45 (0030.jp2)
  23. 3.3 組成 / p47 (0031.jp2)
  24. 3.4 Naの分布 / p51 (0033.jp2)
  25. 3.5 結晶構造と格子定数 / p54 (0035.jp2)
  26. 3.6 光学特性 / p60 (0038.jp2)
  27. 3.7 考察 / p63 (0039.jp2)
  28. 3.8 結言 / p69 (0042.jp2)
  29. 参考文献 / p70 (0043.jp2)
  30. 第4章 アルカリ金属添加Cu(ln,Ga)Se₂薄膜の作製とその成長機構の検討 / p73 (0044.jp2)
  31. 4.1 緒言 / p73 (0044.jp2)
  32. 4.2 実験条件 / p73 (0044.jp2)
  33. 4.3 組成 / p74 (0045.jp2)
  34. 4.4 結晶構造と格子定数 / p76 (0046.jp2)
  35. 4.5 光学特性 / p77 (0046.jp2)
  36. 4.6 基板温度と膜組成およびバンドギャップの関係 / p80 (0048.jp2)
  37. 4.7 成長機構の考察 / p83 (0049.jp2)
  38. 4.8 アルカリ金属の種類による違い / p86 (0051.jp2)
  39. 4.9 荷電粒子の影響 / p88 (0052.jp2)
  40. 4.10 結言 / p91 (0053.jp2)
  41. 参考文献 / p92 (0054.jp2)
  42. 第5章 Cu(ln,Ga)₂Se₃.₅薄膜の結晶学的・光学的特性の評価 / p93 (0054.jp2)
  43. 5.1 緒言 / p93 (0054.jp2)
  44. 5.2 実験条件 / p93 (0054.jp2)
  45. 5.3 組成 / p94 (0055.jp2)
  46. 5.4 結晶性 / p95 (0055.jp2)
  47. 5.5 光学特性 / p97 (0056.jp2)
  48. 5.6 電気特性 / p98 (0057.jp2)
  49. 5.7 結言 / p99 (0057.jp2)
  50. 参考文献 / p100 (0058.jp2)
  51. 第6章 イオン注入法によるCulnSe₂薄膜への不純物添加と電気特性の制御 / p101 (0058.jp2)
  52. 6.1 緒言 / p101 (0058.jp2)
  53. 6.2 実験条件 / p102 (0059.jp2)
  54. 6.3 注入前の薄膜の特性 / p104 (0060.jp2)
  55. 6.4 二次イオン質量分析によるMgの分布の評価 / p107 (0061.jp2)
  56. 6.5 反射高速電子線回折による注入膜の結晶性の評価 / p108 (0062.jp2)
  57. 6.6 不純物添加による電気特性の変化 / p109 (0062.jp2)
  58. 6.7 結言 / p111 (0063.jp2)
  59. 参考文献 / p112 (0064.jp2)
  60. 第7章 CulnSe₂薄膜への電子線照射と耐放射線性 / p113 (0064.jp2)
  61. 7.1 緒言 / p113 (0064.jp2)
  62. 7.2 実験条件 / p114 (0065.jp2)
  63. 7.3 照射前の組成,結晶性と電気特性の評価 / p115 (0065.jp2)
  64. 7.4 電子線照射による電気特性の変化 / p116 (0066.jp2)
  65. 7.5 考察 / p119 (0067.jp2)
  66. 7.6 結言 / p121 (0068.jp2)
  67. 参考文献 / p122 (0069.jp2)
  68. 第8章 総括 / p123 (0069.jp2)
  69. 謝辞 / p127 (0071.jp2)
  70. 付録A [化学式]インゴットの作製 / p129 (0072.jp2)
  71. 研究業績 / p131 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189850
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000190133
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000354164
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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