レーザーアブレーションによる鉄シリサイド薄膜の作製及びその諸特性に関する基礎研究

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著者

    • 劉, 正新 リュウ, セイシン

書誌事項

タイトル

レーザーアブレーションによる鉄シリサイド薄膜の作製及びその諸特性に関する基礎研究

著者名

劉, 正新

著者別名

リュウ, セイシン

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第263号

学位授与年月日

2000-03-22

注記・抄録

博士論文

豊橋技術科学大学

目次

  1. 論文要旨 / p1 (0003.jp2)
  2. 目次 / (0009.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
  4. §1.1 レーザーアブレーションによる薄膜の作製とその特徴 / p1 (0011.jp2)
  5. §1.2 鉄シリサイド薄膜-環境半導体 / p4 (0014.jp2)
  6. §1.3 本研究の目的、内容 / p11 (0021.jp2)
  7. 参考文献 / p14 (0024.jp2)
  8. 第2章 レーザーアプレーションによる鉄シリサイド薄膜の作製と相制御 / p19 (0029.jp2)
  9. §2.1 実験装置、作製方法 / p19 (0029.jp2)
  10. §2.2 鉄シリサイド薄膜の作製 / p25 (0035.jp2)
  11. §2.3 アニールによる鉄シリサイド薄膜結晶性の効果 / p34 (0044.jp2)
  12. §2.4 まとめ / p39 (0049.jp2)
  13. 参考文献 / p40 (0050.jp2)
  14. 第3章 レーザーアブレーションで作製した鉄シリサイド薄膜の諸特性 / p42 (0052.jp2)
  15. §3.1 まえおき / p42 (0052.jp2)
  16. §3.2 鉄シリサイド薄膜の断面構造 / p42 (0052.jp2)
  17. §3.3 鉄シリサイド薄膜の吸収特性 / p47 (0057.jp2)
  18. §3.4 鉄シリサイド薄膜の電気特性 / p55 (0065.jp2)
  19. §3.5 FeSi₂/Siヘテロ構造のI-V特性 / p59 (0069.jp2)
  20. §3.6 FeSi₂/Siヘテロ接合の光電効果 / p77 (0087.jp2)
  21. §3.7 まとめ / p93 (0103.jp2)
  22. 参考文献 / p96 (0106.jp2)
  23. 第4章 総括 / p98 (0108.jp2)
  24. 謝辞 / (0111.jp2)
  25. 付録:研究業績 / (0112.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000189853
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000190136
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000354167
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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