Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性

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Author

    • 伊藤, 大輔 イトウ, ダイスケ

Bibliographic Information

Title

Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system

Other Title

エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性

Author

伊藤, 大輔

Author(Another name)

イトウ, ダイスケ

University

大阪府立大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第828号

Degree year

2003-03-31

Note and Description

博士論文

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000231283
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000231798
  • Text Lang
    • eng
  • NDLBibID
    • 000004132020
  • Source
    • NDL ONLINE

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