SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究
- 著者名
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安部, 功二
- 著者別名
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アベ, コウジ
- 学位授与大学
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名古屋工業大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第201号
- 学位授与年月日
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2003-09-24
注記・抄録
博士論文
SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究
安部, 功二
アベ, コウジ
名古屋工業大学
博士 (工学)
乙第201号
2003-09-24
博士論文