選択エピタキシャル成長技術とそのMOSデバイスへの応用に関する研究 センタク エピタキシャル セイチョウ ギジュツ ト ソノ MOS デバイス エノ オウヨウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 中畑, 匠 ナカハタ, タクミ

書誌事項

タイトル

選択エピタキシャル成長技術とそのMOSデバイスへの応用に関する研究

タイトル別名

センタク エピタキシャル セイチョウ ギジュツ ト ソノ MOS デバイス エノ オウヨウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

中畑, 匠

著者別名

ナカハタ, タクミ

学位授与大学

奈良先端科学技術大学院大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第347号

学位授与年月日

2003-09-30

注記・抄録

博士論文

1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000243705
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000244327
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004286634
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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