Studies on the boron diffusion in silicon using CVD-BN and its application to P-MOS integrated circuits CVD-BNを用いた珪素への硼素拡散とP-MOS集積回路への応用に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 平山, 誠 ヒラヤマ, マコト

書誌事項

タイトル

Studies on the boron diffusion in silicon using CVD-BN and its application to P-MOS integrated circuits

タイトル別名

CVD-BNを用いた珪素への硼素拡散とP-MOS集積回路への応用に関する研究

著者名

平山, 誠

著者別名

ヒラヤマ, マコト

学位授与大学

上智大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第22号

学位授与年月日

1977-03-31

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000301912
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000302731
  • NDL書誌ID
    • 000007742153
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
ページトップへ