InN系窒化物半導体による光通信波長帯サブバンド間遷移型超格子構造の作製と評価

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著者

    • 寺嶋, 亘 テラシマ, ワタル

書誌事項

タイトル

InN系窒化物半導体による光通信波長帯サブバンド間遷移型超格子構造の作製と評価

著者名

寺嶋, 亘

著者別名

テラシマ, ワタル

学位授与大学

千葉大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3302号

学位授与年月日

2006-09-30

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000355046
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000356160
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000008471251
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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