有機金属気相エピタキシー法による化合物半導体結晶成長機構の解析と精密界面構造制御

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著者

    • 中野, 貴之 ナカノ, タカユキ

書誌事項

タイトル

有機金属気相エピタキシー法による化合物半導体結晶成長機構の解析と精密界面構造制御

著者名

中野, 貴之

著者別名

ナカノ, タカユキ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第21200号

学位授与年月日

2006-03-23

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000357997
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000359129
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000008479501
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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