Synthesis and characterization of HfN-based metal gate electrodes by MOCVD for the application of advanced high-κ MOS stacks MOCVD法を用いたHigh-κ MOSスタック用HfN系金属電極の合成と評価

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著者

    • 王, 文武 オウ, ブンブ

書誌事項

タイトル

Synthesis and characterization of HfN-based metal gate electrodes by MOCVD for the application of advanced high-κ MOS stacks

タイトル別名

MOCVD法を用いたHigh-κ MOSスタック用HfN系金属電極の合成と評価

著者名

王, 文武

著者別名

オウ, ブンブ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第21202号

学位授与年月日

2006-03-23

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000358005
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000359137
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000008479512
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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