A study on modeling of chemical characteristics of strain-induced silicon wafer surfaces 歪みシリコンウェハ表面の化学特性のモデリングに対する研究

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著者

    • 阪田, 薫穂 サカタ, カオルホ

書誌事項

タイトル

A study on modeling of chemical characteristics of strain-induced silicon wafer surfaces

タイトル別名

歪みシリコンウェハ表面の化学特性のモデリングに対する研究

著者名

阪田, 薫穂

著者別名

サカタ, カオルホ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2597号

学位授与年月日

2008-03-15

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲2597号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2008/3/15 ; 早大学位記番号:新4756

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000435278
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000436580
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000009364667
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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