Study on the transport mechanism by the localized carriers in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy MBE成長GaAs膜における局在キャリアによる伝導機構の研究

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Author

    • 下岸, 史明 シモギシ, フミアキ

Bibliographic Information

Title

Study on the transport mechanism by the localized carriers in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

Other Title

MBE成長GaAs膜における局在キャリアによる伝導機構の研究

Author

下岸, 史明

Author(Another name)

シモギシ, フミアキ

University

北陸先端科学技術大学院大学

Types of degree

博士 (材料科学)

Grant ID

甲第407号

Degree year

2006-03-22

Note and Description

博士論文

Supervisor:大塚 信雄

材料科学研究科

博士

identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/2184

1access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000437324
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000438651
  • Text Lang
    • eng
  • NDLBibID
    • 000009405313
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
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