高誘電率材料を用いたゲート絶縁膜の作製とその評価に関する研究 A study for fabrication and evaluation of gate dielectric thin films using high-k materials

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Author

    • 長里, 喜隆 ナガサト, ヨシタカ

Bibliographic Information

Title

高誘電率材料を用いたゲート絶縁膜の作製とその評価に関する研究

Other Title

A study for fabrication and evaluation of gate dielectric thin films using high-k materials

Author

長里, 喜隆

Author(Another name)

ナガサト, ヨシタカ

University

東京農工大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第567号

Degree year

2008-03-25

Note and Description

博士論文

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000439439
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000440780
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000009440697
  • Source
    • NDL ONLINE

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