Integration of phase controlled Ni full silicide and HfSiON gate stack for low power and highly reliable CMOS FET 低消費電力かつ高信頼なCMOSFET用相制御ニッケルフルシリサイド/ハフニウム酸窒化膜ゲート積層構造の集積化技術の研究

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著者

    • 寺井, 真之 テライ, マサユキ

書誌事項

タイトル

Integration of phase controlled Ni full silicide and HfSiON gate stack for low power and highly reliable CMOS FET

タイトル別名

低消費電力かつ高信頼なCMOSFET用相制御ニッケルフルシリサイド/ハフニウム酸窒化膜ゲート積層構造の集積化技術の研究

著者名

寺井, 真之

著者別名

テライ, マサユキ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第4116号

学位授与年月日

2010-04-16

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000545777
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000547853
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000011295356
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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