Integration of phase controlled Ni full silicide and HfSiON gate stack for low power and highly reliable CMOS FET 低消費電力かつ高信頼なCMOSFET用相制御ニッケルフルシリサイド/ハフニウム酸窒化膜ゲート積層構造の集積化技術の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Integration of phase controlled Ni full silicide and HfSiON gate stack for low power and highly reliable CMOS FET
- タイトル別名
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低消費電力かつ高信頼なCMOSFET用相制御ニッケルフルシリサイド/ハフニウム酸窒化膜ゲート積層構造の集積化技術の研究
- 著者名
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寺井, 真之
- 著者別名
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テライ, マサユキ
- 学位授与大学
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広島大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第4116号
- 学位授与年月日
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2010-04-16
注記・抄録
博士論文