Device physics and electrical properties of polycrystalline silicon thin film transistors for highly integrated systems 高集積化システムに求められる多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性とデバイス物理

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著者

    • 國井, 正文 クニイ, マサフミ

書誌事項

タイトル

Device physics and electrical properties of polycrystalline silicon thin film transistors for highly integrated systems

タイトル別名

高集積化システムに求められる多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性とデバイス物理

著者名

國井, 正文

著者別名

クニイ, マサフミ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第7858号

学位授与年月日

2009-12-31

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000547541
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000549633
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023304601
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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