次世代半導体デバイスおよびガラス基板上での微細配線形成プロセスの構築

この論文をさがす

著者

    • 有村, 英俊 アリムラ, ヒデトシ

書誌事項

タイトル

次世代半導体デバイスおよびガラス基板上での微細配線形成プロセスの構築

著者名

有村, 英俊

著者別名

アリムラ, ヒデトシ

学位授与大学

甲南大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第79号

学位授与年月日

2012-03-31

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000560407
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000562616
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 023889842
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
ページトップへ