Formation of silicon nanocrystals by thermal plasma jet induced millisecond annealing and its application to floating-gate memories 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用

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Author

    • 岡田, 竜弥 オカダ, タツヤ

Bibliographic Information

Title

Formation of silicon nanocrystals by thermal plasma jet induced millisecond annealing and its application to floating-gate memories

Other Title

熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用

Author

岡田, 竜弥

Author(Another name)

オカダ, タツヤ

University

広島大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第5007号

Degree year

2009-09-07

Note and Description

博士論文

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000561531
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000563745
  • Text Lang
    • eng
  • NDLBibID
    • 023907964
  • Source
    • NDL ONLINE

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