Interface engineering of hafnium-based high-K dielectrics and germanium channel ハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜とゲルマニウムチャネルの界面制御に関する研究

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著者

    • 鬼木, 悠丞 オニキ, ユウスケ

書誌事項

タイトル

Interface engineering of hafnium-based high-K dielectrics and germanium channel

タイトル別名

ハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜とゲルマニウムチャネルの界面制御に関する研究

著者名

鬼木, 悠丞

著者別名

オニキ, ユウスケ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第769号

学位授与年月日

2012-03-27

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000561670
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000563884
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023910000
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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