Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability 65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability
- タイトル別名
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65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究
- 著者名
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Ansari, Tania
- 著者別名
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アンサリ, タニア
- 学位授与大学
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広島大学
- 取得学位
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博士 (学術)
- 学位授与番号
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甲第5720号
- 学位授与年月日
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2012-03-02
注記・抄録
博士論文