Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability 65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究

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Author

    • Ansari, Tania アンサリ, タニア

Bibliographic Information

Title

Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability

Other Title

65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究

Author

Ansari, Tania

Author(Another name)

アンサリ, タニア

University

広島大学

Types of degree

博士 (学術)

Grant ID

甲第5720号

Degree year

2012-03-02

Note and Description

博士論文

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000561719
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000563933
  • Text Lang
    • eng
  • NDLBibID
    • 023912022
  • Source
    • NDL ONLINE

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