光励起状態を利用した半導体デバイス特性評価に関する研究 Evaluation of semiconductor device characterization using photo excited state

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著者

    • 西, 優弥 ニシ, ユウヤ

書誌事項

タイトル

光励起状態を利用した半導体デバイス特性評価に関する研究

タイトル別名

Evaluation of semiconductor device characterization using photo excited state

著者名

西, 優弥

著者別名

ニシ, ユウヤ

学位授与大学

熊本大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第109号

学位授与年月日

2012-09-11

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000570097
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000572380
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024392390
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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