Growth mechanism of Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy 有機金属気相選択成長法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤの成長メカニズムの研究

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著者

    • 池尻, 圭太郎 イケジリ, ケイタロウ

書誌事項

タイトル

Growth mechanism of Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

タイトル別名

有機金属気相選択成長法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤの成長メカニズムの研究

著者名

池尻, 圭太郎

著者別名

イケジリ, ケイタロウ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10832号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000571667
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000573969
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024609312
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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